MOS管柵極反并聯(lián)二極管及MOS管并聯(lián)理論-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-03-17
經(jīng)常會(huì )看到MOS驅動(dòng)電路中柵極電阻會(huì )反并聯(lián)一個(gè)二極管。
MOS使用在半橋電路中的情況特別多，而半橋電路要求上下管具有死區時(shí)間，可能由于之前電子技術(shù)還不夠先進(jìn)，控制芯片無(wú)法生成互補的帶死區時(shí)間的PWM信號，只能通過(guò)MOS“慢開(kāi)快關(guān)”來(lái)生成死區。
在柵極電阻上反并聯(lián)二極管就實(shí)現了MOS的快速關(guān)斷。
另外，大功率MOS一般用在不超過(guò)200V的低壓場(chǎng)合（當然很早就有600V左右的高壓MOS，用在小功率的開(kāi)關(guān)電源中），而且一般不采取負壓驅動(dòng)。
驅動(dòng)芯片一般也不會(huì )有米勒鉗位功能。要抑制米勒電容引起的寄生導通只能通過(guò)增加柵極電容或者減小關(guān)斷狀態(tài)下的柵極回路阻抗，因此反并聯(lián)二極管對抑制寄生導通有一定作用。
(1)、晶體管具有負的溫度系數，即當溫度升高時(shí)，導通電阻會(huì )變小。
(2)、MOS管具有正的溫度系數，即當溫度升高時(shí)，導通電阻會(huì )逐漸變大。
相比于晶體管，MOS管的特性更加適合并聯(lián)電路中的均流，因此當電路中電流很大時(shí)，一般會(huì )采用并聯(lián)MOS管的方法來(lái)進(jìn)行分流。
采用MOS管進(jìn)行電流的均流時(shí)，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時(shí)，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導通電阻的增大，減少流過(guò)的電流；
MOS管之間根據電流大小的不同來(lái)反復調節，最后可實(shí)現兩個(gè)MOS管之間的電流均衡。
注：晶體管也可以通過(guò)并聯(lián)來(lái)實(shí)現大電流的流通，但是此時(shí)需要通過(guò)在基極串接驅動(dòng)電阻來(lái)解決各個(gè)并聯(lián)晶體管之間的電流均衡問(wèn)題。
晶體管(MOS管)并聯(lián)注意事項：
(1)、各個(gè)晶體管(MOS管)的基極(柵極)不能直接相連，要分別串接驅動(dòng)電阻進(jìn)行驅動(dòng)，以防止振蕩。
(2)、要控制各個(gè)晶體管(MOS管)的開(kāi)啟時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間保持一致，因為如果不一致，先開(kāi)啟的管子或后關(guān)斷的管子會(huì )因電流過(guò)大而擊穿損壞。
(3)、為了以防萬(wàn)一，最好在各個(gè)晶體管(MOS)管的發(fā)射極(源極)串接均流電阻，當然這并非強制選項。
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