什么是互補MOS管？互補MOS管工作原理-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-03-12
由NMOS和PMOS兩種管子組成電路可稱(chēng)為互補MOS電路，即CMOS電路。
CMOS集成電路采用場(chǎng)效應管，且都是互補結構，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應管總是處于一個(gè)管導通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。
互補金屬氧化物半導體器件是其中P溝道和N溝道增強MOSFET以推挽式布置連接的芯片。CMOS的基本連接如圖所示。
N溝道和P溝道CMOS連接
上圖顯示了各種CMOS連接，尤其是N溝道和P溝道CMOS連接。
在該電路中，兩個(gè)MOSFET（P溝道MOSFET和N溝道MOSFET）串聯(lián)連接，使P溝道器件的源極連接到正電源+VDD，并連接N溝道器件的源極到地面。
兩個(gè)器件的柵極作為公共輸入連接，兩個(gè)器件的漏極端子作為公共輸出連接在一起。
當輸入保持在0伏特的低電平時(shí)，MOSFET T1的柵極相對于源極S處于負電位。因此，MOSFET T1將導通，其電阻RON= 1千歐姆，而柵極MOSFET T2相對于其源極為0伏。
所以T2將關(guān)閉，其電阻RSoff = 10 ^ 10歐姆。這兩個(gè)電阻都像一個(gè)分壓器，其輸出約為+VDD伏
在其他情況下，當輸入保持在+VDD伏特的高電平時(shí)，則MOSFET T1的柵極相對于源極處于零電位，因此T1 將關(guān)斷，其電阻R0FF= 10 ^ 10歐姆 MOSFET T2的柵極相對于其源極處于正電位，因此MOSFET T2 將導 通，其電阻RON = 1 Kilo Ohm。在這種情況下，輸出約為0伏。
CMOS波形
上圖顯示了CMOS管工作原理 - 輸出波形。
除了從+VDD到零電壓或從零上升到+VDD的短時(shí)間外，P溝道MOSFET（或PMOST）和N溝道MOSFET（或NMOS）的串聯(lián)組合關(guān)閉一個(gè)晶體管然后從電源中抽出電流。
因此，CMOS電路與輸入或高或低操作 而繪圖沒(méi)有從供電除了在短暫的時(shí)間，而與高和低輸出電平之間的切換，當兩個(gè)晶體管為ON為一個(gè)被接通其他是關(guān)斷。
實(shí)際上，CMOS電路的功耗在直流條件下為零，隨著(zhù)施加的信號頻率增加而增加，因為電路更頻繁地切換。
CMOS器件主要用于數字電路，工作時(shí)提供0 V或+VDD（+ 5 V）輸出，同時(shí)從電源獲取非常少的功率。大多數低功耗IC（集成電路）使用CMOS內置晶體管。圖中所示的曲線(xiàn)給出了輸入和輸出電壓之間的關(guān)系。
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