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MOSFET元器件及限流開(kāi)關(guān)有哪些妙用?-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-03-12 

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MOSFET元器件及限流開(kāi)關(guān)有哪些妙用?-KIA MOS管


限流保護開(kāi)關(guān)

限流開(kāi)關(guān),英文一般叫做Current limit switch。簡(jiǎn)要介紹一下,這款器件內部就是集成了一個(gè)PMOS開(kāi)關(guān)管(當然其主要電路不止一個(gè)MOS),MOS管也是集成電路當中最基本元器件。先介紹一下這款器件的主要用途和其工作原理。


這款器件主要用于USB端口的過(guò)流和短路保護,能有效防止因外部短路造成的USB接口的燒壞情形,有統計表明,數碼產(chǎn)品失效有超過(guò)40%跟USB接口有關(guān)系,出現不良比較多的是USB接口死機,USB接口燒壞等等,究其原因,主要是過(guò)流損壞以及靜電損壞。


MOSFET,限流開(kāi)關(guān)


為什么要在USB接口處進(jìn)行過(guò)流保護呢?


如圖1所示,USB相關(guān)規范規定的USB主機的VBUS引腳為下游設備提供標準5V電壓(允許5%的誤差,即4.75~5.25V),


實(shí)際應用中,外部設備的線(xiàn)纜在接口處反復插拔,電流在這里通通斷斷,尤其熱插拔大的容性負載的時(shí)候,會(huì )引起端口數十安培的浪涌電流;接口處也有可能因為進(jìn)入異物導致短路。


出現這兩種情形,輕則導致USB接口處線(xiàn)纜被燒壞,重則燒壞后端控制芯片。因此,需要對USB接口進(jìn)行限流保護。


傳統的PTC保護方案

MOSFET,限流開(kāi)關(guān)


圖2所示,傳統的保護方案是在VBUS線(xiàn)上串聯(lián)一個(gè)可恢復保險絲(PTC)。


PTC的缺點(diǎn)有: 斷開(kāi)時(shí)間慢、導通電阻大、過(guò)流點(diǎn)不精確、環(huán)境溫度影響大。可恢復保險絲(PTC)在經(jīng)歷過(guò)一次斷開(kāi)保護或處于高溫環(huán)境下,如波峰焊后,其電阻可能永久性的增加。


與之相比,使用限流開(kāi)關(guān)的方案就有許多優(yōu)點(diǎn),器件內部集成的MOS管是PMOS,具有比較低的導通電阻,只有80毫歐姆左右,低的導通電阻有利于減小落在器件本身的壓降,使USB端口輸出電壓能夠符合標準。


應用很簡(jiǎn)單,如圖3所示

MOSFET,限流開(kāi)關(guān)


下游設備與USB接口連接,設備電源由VBUS 提供,當設備短路或發(fā)生過(guò)流故障時(shí),通過(guò)限流開(kāi)關(guān)可及時(shí)使VBUS 輸出限流,并使故障輸出標志位 輸出一個(gè)低電平信號。


這就避免了由于電源過(guò)載從而可能導致的系統癱瘓和產(chǎn)品不能正常工作。另外,微處理器通過(guò)對故障標志位的檢測,可進(jìn)行故障告警等處理措施,有利于故障定位、系統狀態(tài)顯示等操作。


當然,利用限流開(kāi)關(guān)的使能管腳EN,可非常方便的對設備進(jìn)行配電管理。


在一些應用中,下游設備即使在待機狀態(tài)其漏電流也相對較高,有的可達幾十μA甚至數mA,若通過(guò)EN管腳關(guān)閉VBUS的供電,此時(shí)關(guān)斷電流小于1μA,這將極大地節省功耗,這在電池供電產(chǎn)品中非常有利,可有效延長(cháng)電池使用時(shí)間。


MOS管大家應該都不陌生,金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。


MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其基本原理還是利用半導體材料的性質(zhì)做成的開(kāi)關(guān)器件,電腦的CPU就是由很多很多的場(chǎng)效應晶體管組成。


下圖4是其電路符號,圖5是其結構原理圖。


MOSFET,限流開(kāi)關(guān)


MOSFET,限流開(kāi)關(guān)


集成芯片就是在一塊硅片上通過(guò)光刻,腐蝕等各種復雜工藝一步一步做出許多這樣的最基本的結構,最終通過(guò)金屬連線(xiàn)連接成復雜電路的。


可以說(shuō),MOSFET是集成電路里面最基本的元器件,數億只晶體管協(xié)同工作,通過(guò)開(kāi)或關(guān)兩種狀態(tài),組成二進(jìn)制的1或0,這就是為什么其實(shí)電腦的核心CPU處理的最基本的數據是二進(jìn)制的原因。


MOSFET的工作原理要當一個(gè)夠大的電位差施于MOSFET的柵極與源極(source)之間時(shí),電場(chǎng)會(huì )在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷,而這時(shí)所謂的“反型層”(inversion channel)就會(huì )形成。


通道的極性與其漏極(drain)與源極相同,假設漏極和源極是N型,那么通道也會(huì )是N型。通道形成后,MOSFET即可讓電流通過(guò),而依據施于柵極的電壓值不同,可由MOSFET的通道流過(guò)的電流大小亦會(huì )受其控制而改變。




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