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一些不錯的場(chǎng)效應管功放電路圖分享-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-03-08 

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一些不錯的場(chǎng)效應管功放電路圖分享-KIA MOS管


場(chǎng)效應管功放電路圖


場(chǎng)效應管功放電路圖


場(chǎng)效應管多管并聯(lián)輸出,500W。


場(chǎng)效應管功放電路圖


場(chǎng)管跟普功率最大不同就是場(chǎng)管是用電壓驅動(dòng),在驅動(dòng)級上有些不一樣,音質(zhì)怎么樣要看設計和工藝。


場(chǎng)效應管功放電路圖


IRFB33N15D,其導通內阻低達56mΩ,最大電流為33A,耐壓卻有150V,常用于DC/DC的變換器中,在數字功放中,也經(jīng)常應用。


其也有不足的地方,其輸入電容為2020pF,和常見(jiàn)的MOS管一樣,在驅動(dòng)它時(shí),就要采用特殊電路來(lái)驅動(dòng),如同電路中的R29和D3并聯(lián)電路,也是業(yè)界慣用手法,其作用是:


當沒(méi)有R29時(shí),Q7的柵極直接接前面的IC引腳,其內部都是圖騰柱電路,由于是容性負載,都會(huì )有振蕩產(chǎn)生,從而使驅動(dòng)波形出現振鈴現象,產(chǎn)生的后時(shí)是,MOS管開(kāi)啟不夠,內阻大,效率低。 


串入R29可以消除這種振蕩,其和后續的MOS管輸入電容(Ciss)的時(shí)間常數要遠小于MOS管的開(kāi)啟時(shí)間13ns,而4.7Ω的2020pF的時(shí)間常數為9.5nS,滿(mǎn)足要求。


IRFB33N15D用標準電路(相當于R29為3.6Ω)驅動(dòng)時(shí),其恢復時(shí)間長(cháng)達130nS,這也是MOS管的通病,為了加快關(guān)斷(爭取這9.5nS的時(shí)間),在關(guān)斷時(shí),希望柵級電阻為0,所以會(huì )在R29上反向并聯(lián)肖特基二極管D3(其工作頻率可以近GHz),來(lái)加速放電。


IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V之間,實(shí)際驅動(dòng)時(shí),取決于IRS2902S的工作電壓,實(shí)際都在10V左右,肖特基二極管D3的正向壓降只有1.2V左右(電流1A,但其ΔV/ΔI約為0,動(dòng)態(tài)內阻極低),已經(jīng)可以確保Q7和柵極處于低于VGS以下,對關(guān)斷沒(méi)有影響。要學(xué)習動(dòng)態(tài)內阻的含義,如同電源,其壓降可能是5V,但其內阻可以低達十幾毫歐。


這個(gè)電路里的兩顆場(chǎng)效應管不能同時(shí)導通,所以,在它們工作的時(shí)候,要關(guān)斷優(yōu)先,導通稍緩。D3,D4二極管就能夠在驅動(dòng)電壓下降的時(shí)候,迅速釋放場(chǎng)效應管的柵極結電壓,從而使管子從導通狀態(tài)恢復到關(guān)斷狀態(tài)的時(shí)間大大縮短。


而驅動(dòng)電壓上升的時(shí)候,要通過(guò)R29,R27給管子的柵極結電容充電,從而延緩了管子的導通時(shí)間。 就這樣實(shí)現了關(guān)斷優(yōu)先,導通稍緩的功能,大大的避免了一個(gè)管子還沒(méi)退出導通,另一個(gè)管子已經(jīng)進(jìn)入導通的狀態(tài)。




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