MOS管等效模型圖文解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-03-05
MOS管相比于三極管，開(kāi)關(guān)速度快，導通電壓低，電壓驅動(dòng)簡(jiǎn)單，所以越來(lái)越受工程師的喜歡，然而，若不當設計，哪怕是小功率MOS管，也會(huì )導致芯片燒壞，原本想著(zhù)更簡(jiǎn)單的，最后變得更加復雜。本文把經(jīng)驗總結一番，形成理論模型。
等效模型：MOS管等效電路及應用電路如下圖所示：
把MOS管的微觀(guān)模型疊加起來(lái)，就如下圖所示：
我們知道，MOS管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一個(gè)反相器，也可以理解為一個(gè)反相工作的運放，如下圖：
有了以上模型，就好辦了，尤其從運放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個(gè)反相積分電路，當輸入電阻較大時(shí)，開(kāi)關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯；
但是當開(kāi)關(guān)速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比如310V下，通過(guò)Cgd的電流比較大，強的積分很容易引起振蕩，這個(gè)振蕩叫米勒振蕩。
所以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管開(kāi)關(guān)導通或者關(guān)斷的那段時(shí)間，也就是積分那段時(shí)間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴重的米勒振蕩：
等效模型：因為MOS管的反饋引入了電容，當這個(gè)電容足夠大，并且前段信號變化快，后端供電電壓高，三者結合起來(lái)，就會(huì )引起積分過(guò)充振蕩；
這個(gè)等價(jià)于溫控的PID中的I模型，要想解決解決這個(gè)米勒振蕩，在頻率和電壓不變的情況下，一般可以提高M(jìn)OS管的驅動(dòng)電阻，減緩開(kāi)關(guān)的邊沿速度，其次比較有效的方式是增加Cgs電容。
在條件允許的情況下，可以在Cds之間并上低內阻抗沖擊的小電容，或者用RC電路來(lái)做吸收電路。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
