MOSFET截止頻率-特征頻率解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-02-23
截止頻率定義為電流增益為1的時(shí)候的頻率。根據米勒電容等效原理，輸入端的電容將會(huì )很大，而輸出端的電容則可以忽略。于是用Cg來(lái)等效輸入柵極電容。
提高頻率特性：提高遷移率（100方向，工藝優(yōu)質(zhì)），縮短L，減小寄生電容，增加跨導。根據小信號模型分析得出的結果。
定義：在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱(chēng)為：“transitfrequency”（FT）
一、長(cháng)溝器件的FT計算
MOS的小信號模型如下：
二、MOSFET截止頻率FT有哪些因素？
以上公式是在長(cháng)溝器件level1模型下推導的，可以分析一下影響；
1.增大過(guò)驅電壓（Vgs-VT）可以增大FT
2.減小溝道長(cháng)度L會(huì )增大FT
3.增大偏置電流可以增大FT（FT正比于直流偏置電流的平方根）
4.FT基本不受S端和D端結電容Cgd的影響。
5.FT隨過(guò)驅動(dòng)（Vgs-VT）而增加，但隨著(zhù)垂直電場(chǎng)增加，遷移率變化變緩，FT逐漸飽和，下面是某NMOS器件的FT，其中W/L=5μm/40nmVDS=0.8V：
三、為什么提高M(jìn)OSFET的頻率與提高增益之間存在著(zhù)矛盾？
可見(jiàn)本征增益與過(guò)驅電壓的成反比，而前述截止頻率與過(guò)驅動(dòng)電壓成正比，可見(jiàn)兩種存在矛盾，但兩者相乘就是增益帶寬積，只與溝道長(cháng)度成反比，雖然這是長(cháng)溝Level1模型的推導結論，也可看出縮小MOSFET的特征尺寸的好處：
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
