MOS管門(mén)極驅動(dòng)電路及MOSFET驅動(dòng)簡(jiǎn)便計算-KIA MOS管

MOS管門(mén)極驅動(dòng)電路

MOS管門(mén)極驅動(dòng)電路：（1)直接驅動(dòng)

電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10Ωm到100Ωm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩壓二極管D1和D2是保護MOS管的門(mén)]極和源極;二極管D3是加速MOS的關(guān)斷。

MOS管門(mén)極驅動(dòng)電路，MOSFET

（2)互補三極管驅動(dòng)

當MOS管的功率很大時(shí)，而PWM芯片輸出的PWM信號不足已驅動(dòng)MOS管時(shí)，加互補三極管來(lái)提供較大的驅動(dòng)電流來(lái)驅動(dòng)MOS管。

PWM為高電平時(shí)，三極管Q3導通,驅動(dòng)MOS管導通;PWM為低電平時(shí)，三極管Q2導通，加速MOS管的關(guān)斷;電阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振蕩，一般為10Ωm到100Ωm,R2是為關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;二極管D1是加速MOS的關(guān)斷。

MOS管門(mén)極驅動(dòng)電路，MOSFET

（3)耦合驅動(dòng)(利用驅動(dòng)變壓器耦合驅動(dòng))

MOS管門(mén)極驅動(dòng)電路：當驅動(dòng)信號和功率MOS管不共地或者M(jìn)OS管的源極浮地的時(shí)候，比如Buck變換器或者雙管正激變換器中的MOS管，利用變壓器進(jìn)行耦合驅動(dòng)如圖:

驅動(dòng)變壓器的作用:

1.解決驅動(dòng)MOS管浮地的問(wèn)題;

2.解決PWM信號與MOS管不共地的問(wèn)題;

3.一個(gè)驅動(dòng)信號可以分成兩個(gè)驅動(dòng)信號;

4.減少干擾。

MOS管門(mén)極驅動(dòng)電路，MOSFET

MOSFET驅動(dòng)簡(jiǎn)便計算

開(kāi)關(guān)電源工作頻率已選定為50kHz，用半橋電路。半個(gè)周期是10us，每個(gè)開(kāi)關(guān)管考慮死區時(shí)間最多導通9us。

9us的導通時(shí)間，上升或下降的時(shí)間無(wú)論如何不能超過(guò)1us，否則處于線(xiàn)性區的時(shí)間占比例太大，效率會(huì )比較低。如果開(kāi)關(guān)電源工作頻率更高，上升下降的時(shí)間還要減少，換句話(huà)說(shuō)，需要更快一些，可能只允許0.2us。

選定一MOS管,資料里Qg(tot)=130nc，Ciss=2000pF，Coss=400pF ,tr=66ns。看datasheet里有條Basic Gate Charge Wavefoum曲線(xiàn)。該曲線(xiàn)先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通(米勒效應)。

希望在0.2us內使管子開(kāi)通，估計總時(shí)間(先上升然后水平再上升)為0.4us。由Qg(tot)= 130nC和0.4us即可得: 130nC/0.4us =0.325A。

這是峰值，僅在管子開(kāi)通和關(guān)斷的各0.2us里有電流，其它時(shí)間幾乎沒(méi)有電流，平均值很小。但不能輸出這個(gè)峰值，管子開(kāi)通就會(huì )變慢。