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直流電機H橋驅動(dòng)感性負載-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-01-25 

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直流電機H橋驅動(dòng)感性負載-KIA MOS管


H橋驅動(dòng)感性負載

什么是H橋?H橋是一個(gè)比較簡(jiǎn)單的電路,通常它會(huì )包含四個(gè)獨立控制的開(kāi)關(guān)元器件(例如MOS-FET),它們通常用于驅動(dòng)電流較大的負載,比如電機,至于為什么要叫H橋(H-Bridge),因為長(cháng)得比較像字母H,具體如下圖所示;


H橋,感性負載


這里有四個(gè)開(kāi)關(guān)元器件Q1,Q2,Q3,Q4,另外還有一個(gè)直流電機M,D1,D2,D3,D4是MOS-FET的續流二極管;


開(kāi)關(guān)狀態(tài)

下面以控制一個(gè)直流電機為例,對H橋的幾種開(kāi)關(guān)狀態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹,其中正轉和反轉是人為規定的方向,實(shí)際工程中按照實(shí)際情況進(jìn)行劃分即可;


正轉

通常H橋用來(lái)驅動(dòng)感性負載,這里我們來(lái)驅動(dòng)一個(gè)直流電機;打開(kāi)Q1和Q4;關(guān)閉Q2和Q3;


此時(shí)假設電機正轉,這電流依次經(jīng)過(guò)Q1,M,Q4,在圖中使用黃色線(xiàn)段進(jìn)行標注,具體如下圖所示;


H橋,感性負載


另外一種狀態(tài)則是電機反轉;此時(shí)四個(gè)開(kāi)關(guān)元器件的狀態(tài)如下;關(guān)閉Q1和Q4;打開(kāi)Q2和Q3;


此時(shí)電機反轉(與前面介紹的情況相反),這電流依次經(jīng)過(guò)Q2,M,Q3,在圖中使用黃色線(xiàn)段進(jìn)行標注,具體如下圖所示;


H橋,感性負載


反轉

調速

如果要對直流電機調速,其中的一種方案就是;


關(guān)閉Q2,Q3;打開(kāi)Q1,Q4上給它輸入50%占空比的PWM波形,這樣就達到了降低轉速的效果,如果需要增加轉速,則將輸入PWM的占空比設置為100%;


具體如下所示;


H橋,感性負載


停止狀態(tài)

這里以電機從正轉切換到停止狀態(tài)為例;


正轉情況下;Q1和Q4是打開(kāi)狀態(tài);這時(shí)候如果關(guān)閉Q1和Q4,直流電機內部可以等效成電感,也就是感性負載,電流不會(huì )突變,那么電流將繼續保持原來(lái)的方向進(jìn)行流動(dòng),這時(shí)候我們希望電機里的電流可以快速衰減;


這里有兩種辦法:

第一種:關(guān)閉Q1和Q4,這時(shí)候電流仍然會(huì )通過(guò)反向續流二極管進(jìn)行流動(dòng),此時(shí)短暫打開(kāi)Q1和Q3從而達到快速衰減電流的目的;


H橋,感性負載


第二種:準備停止的時(shí)候,關(guān)閉Q1,打開(kāi)Q2,這時(shí)候電流并不會(huì )衰減地很快,電流循環(huán)在Q2,M,Q4之間流動(dòng),通過(guò)MOS-FET的內阻將電能消耗掉;


H橋,感性負載



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