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MOS管DS波形圖文解析-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-01-18 

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MOS管DS波形圖文解析-KIA MOS管


MOS管DS波形解析

開(kāi)關(guān)MOSDS波形圖


MOS管DS波形


MOS管DS波形:假設在一臺數字示波器上只看到這一點(diǎn)波型,知道變壓器電感量為1mH,通過(guò)從示波器上測量和計算,得出下列數值。


(1)大約的交流輸入電壓值

(2)次級反到初級的電壓

(3)占空比

(4)變壓器漏感

(5)變壓器和MOS的總雜散電容

(6)變壓器傳送的能量

明顯反激,而且是斷續模式

剛開(kāi)始是漏感震蕩,后來(lái)是電感和mosfet的電容震蕩

前一個(gè)直流電壓是Vin+(Np/Ns)(Vo+VF(二極管導通壓降))

后一個(gè)就是Vin

后一個(gè)震蕩的周期可以算出Cds大小

高壓時(shí)MOS管的Cds很小,振蕩的電容主體是變壓器雜散電容。


根據反射電壓,反射電壓持續時(shí)間,輸入電壓就可以計算導通時(shí)間,占空比也就出來(lái)了(伏特秒平衡),Vref*Tvref=Vin*Ton。


當MOS管電壓上升到A點(diǎn)時(shí),輸出整流管導通,初級勵磁電感鉗位于V1。


此時(shí),漏感和雜散電容諧振,由于變壓器線(xiàn)圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消耗了漏感中的能量在B點(diǎn)時(shí),勵磁電感中電流下降為零,次級整流管自然截止,勵磁電感上電壓下降為零。


勵磁電感和雜散電容諧振,MOS管的雜散電容Coss向勵磁電感放電,Vds電壓下降,可從波形中得到驗證。


計算:

如圖所示,可以讀出反射電壓V1,和Vin(DC).則,交流輸入電壓約為Vin(DC)/sqrt(2),不帶PFC。


由伏秒平衡可得,Vin(dc)*Ton=V1*T1,可求得,Ton.那么,占空比D=Ton/(Ton+T1+T2)。


近似求解,從圖中分別讀出漏感、勵磁電感同雜散電容諧振的頻率,根據f=1/(2*pi*sqrt(L*c)),由勵磁電感感量已知,為1mH,可求得雜散電容值.進(jìn)一步就可求得漏感的感量。


從波形中可以看出,此時(shí)該反激電路工作于斷續模式,初級能量完全傳送到次級。


根據Vin*Ton=Lp*Ip,其中,Lp為1mH,就可求得初級峰值電流Ip,那么,該變壓器在一個(gè)周期內傳送的能量為:1/2*Lp*Ip^2。


MOS管DS波形


MOS管DS波形


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