MOS管i-v特性解析|圖文分享-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-01-06
原理圖
MOS管i-v特性-特性曲線(xiàn)和電流方程
與結型場(chǎng)效應管一樣，其輸出特性曲線(xiàn)也可分為可變電阻區、飽和區、截止區和擊穿區幾部分。
轉移特性曲線(xiàn)如圖1(b)所示， 由于場(chǎng)效應管作放大器件使用時(shí)是工作在飽和區(恒流區)，此時(shí)iD幾乎不隨VDs而變化，即不同的VDs 所對應的轉移特性曲線(xiàn)幾乎是重合的，所以可用VDs 大于某一數值(vDs> VGs-VT)后的一條轉移特性曲線(xiàn)代替飽和區的所有轉移特性曲線(xiàn)。
iD與vGs的近似關(guān)系
與結型場(chǎng)效應管相類(lèi)似。在飽和區內，iD與VGs的近似關(guān)系式為：
MOS管i-v特性-參數
MOS管的主要參數與結型場(chǎng)效應管基本相同，只是增強型MOS管中不用夾斷電壓Vp，而用開(kāi)啟電壓VT表征管子的特性。
各種場(chǎng)效應管特性比較
MOS管i-v特性-MOS管導通特性
導通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當于開(kāi)關(guān)閉合。
NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接地時(shí)的情況( 低端驅動(dòng))，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs 小于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)格貴，替換種類(lèi)少等原因，在高端驅動(dòng)中，通常還是使用NMOS。
MOS開(kāi)關(guān)管損失
MOS在導通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS 兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開(kāi)關(guān)損失。
通常開(kāi)關(guān)損失比導通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越快，損失也越大。導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。
縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內的開(kāi)關(guān)次數。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
