MOS管與三極管-圖騰柱驅動(dòng)電路|好文分享-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-12-24
使用分立器件搭建MOS驅動(dòng)的話(huà)，一般會(huì )使用互補的三極管搭建圖騰柱電路，但是為什么會(huì )是圖騰柱的結構不是半橋的結構呢？又為什么是要用三極管呢？用MOS管不可以嗎？
首先，下圖是經(jīng)典的圖騰柱結構，這個(gè)電路是可以正常驅動(dòng)MOS的。
但是，這個(gè)電路存在一些不足之處，比如輸出的電壓總是不能到電源軌，會(huì )差一個(gè)VBE的結壓降，大約是0.7V左右，雖然存在這個(gè)問(wèn)題，但是拿來(lái)驅動(dòng)MOS是沒(méi)問(wèn)題的，因為MOS管也是有一個(gè)開(kāi)啟電壓的，但是用著(zhù)總是不太舒服。
同時(shí)注意這里的三極管一般選取大電流、高放大倍數的，最好是開(kāi)關(guān)三極管。
由于輸出受限，下面是使用MOS搭建的類(lèi)似電路
首先要明確的是，上面電路基本不能正常工作。因為這樣也基本是電壓跟隨的形式，但是輸出會(huì )與輸入有一個(gè)MOS開(kāi)啟電壓的差距，顯然比三極管大多了。由此導致后級的功率MOS管更不能正常工作了。
然后又搭建了下面兩種半橋結構的電路
上面兩種電路都勉強可以工作，但是會(huì )存在驅動(dòng)管上下直通的問(wèn)題，導致驅動(dòng)管有直通電流會(huì )引起較大的損耗，解決的辦法最好是加入死區控制。
但是死區電路較為復雜且難以使用分立元件很好匹配，所以經(jīng)過(guò)試驗之后，引出了上面使用MOS搭建的電路，上面將MOS驅動(dòng)的充放電電路使用二極管區分開(kāi)來(lái)，并且使用RC對MOS的開(kāi)啟信號進(jìn)行簡(jiǎn)單延時(shí)。
效果仿真還是基本可以的，但是在輸入頻率變化的時(shí)候可能會(huì )影響效果，比如在LLC電路中不一定能應用。這種MOS半橋電路在有些驅動(dòng)芯片的數據手冊上面見(jiàn)到過(guò)，可能使用集成電路工藝可以實(shí)現更好的死區匹配以實(shí)現這種方式。
至于上面的三極管半橋方案，因為三極管是電流驅動(dòng)器件，可以用基極電流限制最大電流，也可以利用電阻或電感減緩直通的損耗，但是不建議這樣用，驅動(dòng)MOS的話(huà)直接用三極管搭建圖騰柱電路就可以實(shí)現很好的效果了。
至于死區電路，有下面的仿真
上面電路核心就是利用與門(mén)將原始信號和經(jīng)過(guò)延時(shí)后的信號求與邏輯，可以延遲上升沿信號。
同樣，可以使用或門(mén)來(lái)對下降沿信號進(jìn)行延遲。將設計一個(gè)小板子用來(lái)實(shí)現單獨PWM信號的死區生成。
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