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MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路分析和應用-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-11-24 

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MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路分析和應用-KIA MOS管


MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路分析

今天主要分析MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路分析和應用和MOS管驅動(dòng)基礎和時(shí)間功耗計算。


首先談一下變壓器隔離的MOS管驅動(dòng)器:如果驅動(dòng)高壓MOS管,需要采用變壓器驅動(dòng)的方式和集成的高邊開(kāi)關(guān)。


MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路:這兩個(gè)解決方案都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),適合不同的應用。


集成高邊驅動(dòng)器方案很方便,優(yōu)點(diǎn)是電路板面積較小,缺點(diǎn)是有很大的導通和關(guān)斷延遲。


變壓器耦合解決方案的優(yōu)點(diǎn)是延遲非常低,可以在很高的壓差下工作。通常它需要更多,缺點(diǎn)是需要很多的元件,并且對變壓器的運行有比較深入的認識。


變壓器常見(jiàn)問(wèn)題和與MOS管驅動(dòng)相關(guān)的問(wèn)題:

變壓器有兩個(gè)繞組,初級繞組和次級繞組實(shí)現了隔離,初級和次級的匝數比變化實(shí)現了電壓縮放,對于設計一般不太需要調整電壓,隔離是最注重的。


MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路:理想情況下,變壓器是不儲存能量的(反激“變壓器”其實(shí)是耦合電感)。不過(guò)實(shí)際上變壓器還是儲存了少量能量在線(xiàn)圈和磁芯的氣隙形成的磁場(chǎng)區域,這種能量表現為漏感和磁化電感。


對于功率變壓器來(lái)說(shuō),減少漏感可以減少能量損耗,以提高效率。MOS管驅動(dòng)器變壓器的平均功率很小,但是在開(kāi)通和關(guān)閉的時(shí)候傳遞了很高的電流,為了減少延遲保持漏感較低仍然是必須的。


法拉第定律規定,變壓器繞組的平均功率必須為零。即使是很小的直流分量可能會(huì )剩磁,最終導致磁芯飽和。這條規則對于單端信號控制的變壓器耦合電路的設計有著(zhù)重大影響。


磁芯飽和限制了繞組的伏秒數。設計變壓器必須考慮最壞情況和瞬時(shí)的最大的伏秒數。(在運行狀態(tài)下,最壞情況和瞬時(shí)的,最大占空比和最大電壓輸入同時(shí)發(fā)生的情況),唯一確定的是變壓器有一個(gè)穩定的電源電壓。


對于單端應用的功率變壓器來(lái)說(shuō),很大一部分開(kāi)關(guān)周期需要保留來(lái)保證磁芯的正確復位(正激變換器)。復位時(shí)間大小限制電路運行的占空比。不過(guò)由于采用交流耦合實(shí)現了雙向磁化,即使對于單端MOS管驅動(dòng)變壓器也不是問(wèn)題。


單端變壓器耦合 MOS管驅動(dòng)電路


MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路


隔直電容必須在源邊電路,起到的作用是提供重啟電壓,如果沒(méi)有該電容,變壓器的磁化電壓和占空比相關(guān),變壓器磁性可能飽和。


MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路


雙端變壓器耦合 MOS管驅動(dòng)電路


MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路






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