場(chǎng)效應管與晶體管的比較，區別詳細分析-KIA MOS管

場(chǎng)效應管與晶體管的比較

（1）場(chǎng)效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場(chǎng)效應管。

（2）場(chǎng)效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應管比較合適。

（3）場(chǎng)效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線(xiàn)性電阻使用。

（4）場(chǎng)效應管的源極和漏極在結構上是對稱(chēng)的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵-源電壓可正可負。因此，使用場(chǎng)效應管比晶體管靈活。

（5）場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

場(chǎng)效應管與晶體管的比較-結構異同

電極使用

雙極型晶體管:分為基極(b)集電極(c)，發(fā)射極(e)。其中c、e電極不能互換使用

場(chǎng)效應管:分為柵極(g) ，源極(s)，漏極(d) 。其中d、s一般可以互換使用

載流子與輸入量

雙極型晶體管:載流子有多子、少子兩種。輸入量為電流。

場(chǎng)效應管:載流子為一種(空穴或自由電子)。輸入量為電壓。

輸入電阻

雙極型晶體管:低(幾十歐到幾千歐)

場(chǎng)效應管:高(幾兆歐以上)，iG≈0

雙極性晶體管：

電流控制電流源CCCS(β)，噪聲系數較大，熱穩定性差，不易受靜電影響，不易大規模集成，大電流特性好，耗電多，電源電壓范圍窄。

場(chǎng)效應管:

電壓控制電流源VCCS(gm)，噪聲系數較小，熱穩定性較好，易受靜電影響，適宜大規模和超大規模集成，大電流特次之，耗電省，電源電壓范圍寬。

電極

雙極型晶體管的基極B、發(fā)射極E、集電極C與場(chǎng)效應管的柵極G、源極S和漏極D相對應。

放大電路

場(chǎng)效應管基本放大電路由三種組態(tài)，即共柵組態(tài)基本放大電路、共源組態(tài)基本放大電路和共漏組態(tài)機基本放大電路，與雙極型晶體管基本放大電路的共基組態(tài)基本放大電路、共射組態(tài)基本放大電路和共集組態(tài)基本放大電路相對應。

場(chǎng)效應管與晶體管的比較-使用優(yōu)勢

場(chǎng)效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場(chǎng)效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱(chēng)之為雙極型器件。

有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。

場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

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