集成運算放大器|場(chǎng)效應管集成運放詳解-KIA MOS管

場(chǎng)效應管集成運算放大器

場(chǎng)效應管集成運放：集成電路一般是在一塊厚0.2~0.5mm、面積約為0.5mm²的硅片，上通過(guò)平面工藝制做成的。這種硅片( 稱(chēng)為集成電路的基片)上可以做出包含為數十個(gè)(或更多)二極管、電阻、電容和連接導線(xiàn)的電路。

場(chǎng)效應管集成運放-集成電路的特點(diǎn)

1.電路中各元件在同一基片上，通過(guò)相同工藝過(guò)程制造而成，其特性較為一致。

2.集成電路中的二極管多用于溫度補償或電平移動(dòng),通常由三極管的發(fā)射結構成。

3.電阻元件由半導體的體電阻構成，阻值越大，占用的硅片面積越大。通常的電阻范圍為幾十Ω -20kΩ,高阻值的電阻多用半導體三極管等有源元件代替或外接。

4.電容元件由PN結的結電容或MOS管電容來(lái)制作，一般的容量小于200pF。不能制造電感元和大電容。因此在集成電路內部通常采用直接耦合，無(wú)法采用阻容耦合、變壓器耦合方式。

5.集成電路中多采用復合結構電路。

場(chǎng)效應管集成運放-集成電路的分類(lèi)

運算放大器

運算放大器的符號中有三個(gè)引線(xiàn)端，兩個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端。一個(gè)稱(chēng)為同相輸入端，即該端輸入信號變化的極性與輸出端相同,用符號"+"表示;另一個(gè)稱(chēng)為反相輸入端，即該端輸入信號變化的極性與輸出端相異，用符號"-"表示。

輸出端一般畫(huà)在輸入端的另一側，在符號邊框內標有"+"號。實(shí)際的運算放大器通常必須有正、負電源端，有的品種還有補償端和調零端。

理想運放的工作狀態(tài)

1.理想運放的同相和反相輸入端電流近似為零

2.理想運放的同相和反相輸入端電位近似相等(線(xiàn)性工作狀態(tài)時(shí))

虛斷：由于理想運放的輸入電阻非常高，可以把兩輸入端視為等效開(kāi)路—簡(jiǎn)稱(chēng)虛斷。

虛短：在運算放大器處于線(xiàn)性狀態(tài)時(shí)，可以把兩輸入端視為假想短路—簡(jiǎn)稱(chēng)虛短。

虛地：如將運放的同相端接地，即V+=0，則V-=0,即反相端是一個(gè)不接“地” 的“地”，稱(chēng)為虛地。

半導體場(chǎng)效應管

FET與BJT的區別

1.BJT是電流控制元件; FET是電壓控制元件。

2.BJT參與導電的是電子-空穴， 因此稱(chēng)其為雙極型器件;FET是電壓控制元件，參與導電的只有一種載流子,因此稱(chēng)其為單級型器件。

3.BJT的輸入電阻較低，一般10²-10⁴Ω;FET的輸入電阻高，可達10⁹-10¹⁴Ω

場(chǎng)效應管的分類(lèi)：

結型場(chǎng)效應管JFET；MOS型場(chǎng)效應管MOSFET

晶體三極管又稱(chēng)為雙極型三極管，簡(jiǎn)記為BJT ( Bipolar Junction Transistor )

場(chǎng)效應管FET (Field Effect Transistor )

結型場(chǎng)效應三極管JFET (Junction typeFET)

絕緣柵型場(chǎng)效應管也稱(chēng)金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應管MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管(Meta1-Oxide- Semi conductor type FET)

MOS管有NMOS、PMOS、 CMOS

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