詳解MOS管柵極驅動(dòng)電阻如何優(yōu)化設計，一文看懂-KIA MOS管

MOS管柵極驅動(dòng)電阻如何優(yōu)化設計

MOS管的驅動(dòng)對其工作效果起著(zhù)決定性的作用。設計師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗，又要求驅動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，即驅動(dòng)電路的優(yōu)化設計。

MOS管柵極驅動(dòng)電阻：驅動(dòng)電路的優(yōu)化設計包含兩部分內容：一是最優(yōu)的驅動(dòng)電流、電壓的波形；二是最優(yōu)的驅動(dòng)電壓、電流的大小。在進(jìn)行驅動(dòng)電路優(yōu)化設計之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數對驅動(dòng)的影響。

MOS管的模型

MOS管的等效電路模型及寄生參數如圖1所示。圖1中各部分的物理意義為：

（1）LG和LG代表封裝端到實(shí)際的柵極線(xiàn)路的電感和電阻。

（2）C1代表從柵極到源端N+間的電容，它的值是由結構所固定的。

（3）C2+C4代表從柵極到源極P區間的電容。C2是電介質(zhì)電容，共值是固定的。而C4是由源極到漏極的耗盡區的大小決定，并隨柵極電壓的大小而改變。當柵極電壓從0升到開(kāi)啟電壓UGS（th）時(shí)，C4使整個(gè)柵源電容增加10%～15%。

（4）C3+C5是由一個(gè)固定大小的電介質(zhì)電容和一個(gè)可變電容構成，當漏極電壓改變極性時(shí)，其可變電容值變得相當大。

（5）C6是隨漏極電壓變換的漏源電容。

MOS管柵極驅動(dòng)電阻

MOS管輸入電容（Ciss）、跨接電容（Crss）、輸出電容（Coss）和柵源電容、柵漏電容、漏源電容間的關(guān)系如下：

MOS管柵極驅動(dòng)電阻

MOS管的開(kāi)通過(guò)程

開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)模式電路如圖2所示，二極管可是外接的或MOS管固有的。開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)的二極管電壓、電流波形如圖3所示。

在圖3的階段1開(kāi)關(guān)管關(guān)斷，開(kāi)關(guān)電流為零，此時(shí)二極管電流和電感電流相等；在階段2開(kāi)關(guān)導通，開(kāi)關(guān)電流上升，同時(shí)二極管電流下降。開(kāi)關(guān)電流上升的斜率和二極管電流下降的斜率的絕對值相同，符號相反；在階段3開(kāi)關(guān)電流繼續上升，二極管電流繼續下降，并且二極管電流符號改變，由正轉到負；

在階段4，二極管從負的反向最大電流IRRM開(kāi)始減小，它們斜率的絕對值相等；在階段5開(kāi)關(guān)管完全開(kāi)通，二極管的反向恢復完成，開(kāi)關(guān)管電流等于電感電流。

MOS管柵極驅動(dòng)電阻

圖4是存儲電荷高或低的兩種二極管電流、電壓波形。從圖中可以看出存儲電荷少時(shí)，反向電壓的斜率大，并且會(huì )產(chǎn)生有害的振動(dòng)。而前置電流低則存儲電荷少，即在空載或輕載時(shí)是最壞條件。所以進(jìn)行優(yōu)化驅動(dòng)電路設計時(shí)應著(zhù)重考慮前置電流低的情況，即空載或輕載的情況，應使這時(shí)二極管產(chǎn)生的振動(dòng)在可接受范圍內。

MOS管柵極驅動(dòng)電阻

柵極電荷QG和驅動(dòng)效果的關(guān)系

柵極電荷QG是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷，它可以表示為驅動(dòng)電流值與開(kāi)通時(shí)間之積或柵極電容值與柵極電壓之積。現在大部分MOS管的柵極電荷QG值從幾十納庫侖到一、兩百納庫侖。

柵極電荷QG包含了兩個(gè)部分：柵極到源極電荷QGS；柵極到漏極電荷QGD—即“Miller”電荷。QGS是使柵極電壓從0升到門(mén)限值（約3V）所需電荷；QGD是漏極電壓下降時(shí)克服“Miller”效應所需電荷，這存在于UGS曲線(xiàn)比較平坦的第二段（如圖5所示），此時(shí)柵極電壓不變、柵極電荷積聚而漏極電壓急聚下降，也就是在這時(shí)候需要驅動(dòng)尖峰電流限制，這由芯片內部完成或外接電阻完成。

實(shí)際的QG還可以略大，以減小等效RON，但是太大也無(wú)益，所以10V到12V的驅動(dòng)電壓是比較合理的。這還包含一個(gè)重要的事實(shí)：需要一個(gè)高的尖峰電流以減小MOS管損耗和轉換時(shí)間。

MOS管柵極驅動(dòng)電阻

優(yōu)化柵極驅動(dòng)設計

MOS管柵極驅動(dòng)電阻：在大多數的開(kāi)關(guān)功率應用電路中，當柵極被驅動(dòng)，開(kāi)關(guān)導通時(shí)漏極電流上升的速度是漏極電壓下降速度的幾倍，這將造成功率損耗增加。為了解決問(wèn)題可以增加柵極驅動(dòng)電流，但增加柵極驅動(dòng)上升斜率又將帶來(lái)過(guò)沖、振蕩、EMI等問(wèn)題。優(yōu)化柵極驅動(dòng)設計，正是在互相矛盾的要求中尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，而這個(gè)平衡點(diǎn)就是開(kāi)關(guān)導通時(shí)漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形，理想的驅動(dòng)波形如圖6所示。

圖6的UGS波形包括了這樣幾部分：

UGS第一段是快速上升到門(mén)限電壓；UGS第二段是比較緩的上升速度以減慢漏極電流的上升速度，但此時(shí)的UGS也必須滿(mǎn)足所需的漏極電流值；UGS第四段快速上升使漏極電壓快速下降；UGS第五段是充電到最后的值。

當然，要得到完全一樣的驅動(dòng)波形是很困難的，但是可以得到一個(gè)大概的驅動(dòng)電流波形，其上升時(shí)間等于理想的漏極電壓下降時(shí)間或漏極電流上升的時(shí)間，并且具有足夠的尖峰值來(lái)充電開(kāi)關(guān)期間的較大等效電容。該柵極尖峰電流IP的計算是：電荷必須完全滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)時(shí)期的寄生電容所需。

MOS管柵極驅動(dòng)電阻