MOS管知識-MOS管的導通過(guò)程和損耗分析詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-10-16
MOS管和三極管的特性曲線(xiàn)分別如圖1和圖2所示，它們各自區間的命名有所不同，其中MOS管的飽和區也稱(chēng)為恒流區、放大區。其中一個(gè)主要的不同點(diǎn)在于MOS管有個(gè)可變電阻區，而三極管則是飽和區，沒(méi)有可變電阻區的說(shuō)法。
從圖中也能明顯看出，MOS管在可變電阻區內，Vgs一定時(shí)，Id和Vds近似為線(xiàn)性關(guān)系，不同Vgs值對應不同的曲線(xiàn)斜率，即漏極D和源極S之間的電阻值Rds受控于Vgs；而三極管在飽和區內，不同Ib值的曲線(xiàn)都重合在一起，即曲線(xiàn)斜率相同，阻值相同。
MOS管導通過(guò)程中的各電壓電流曲線(xiàn)如圖3所示，其中Vgs曲線(xiàn)有著(zhù)名(臭名昭著(zhù))的米勒平臺，即Vgs在某段時(shí)間(t3-t2)內保持不變。
我們知道MOS管是壓控器件，不同于三極管是流控器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導通的過(guò)程也是需要電流（電荷）的，原因是因為MOS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs和Cds，如圖4所示。
MOS管導通條件是Vgs電壓至少達到閾值電壓Vgs(th)，其通過(guò)柵極電荷對Cgs電容充電實(shí)現，當MOS管完全導通后就不需要提供電流了，即壓控的意思。
這三個(gè)寄生電容參數值在MOS管的規格書(shū)中一般是以Ciss，Coss和Crss形式給出，其對應關(guān)系為：Cgd=Crss；Cds=Coss-Crss；Cgs=Ciss-Crss。
MOS管損耗主要有開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，關(guān)注參數Cgd(Crss)）、柵極驅動(dòng)損耗（關(guān)注參數Qg）和導通損耗(關(guān)注參數Rds(on))等。以如圖10所示的同步BUCK拓撲為例進(jìn)行說(shuō)明，由于高側的開(kāi)關(guān)管Q1和低側的同步管Q2組成一個(gè)半橋結構，為了防止兩個(gè)MOS管同時(shí)導通而使輸入回路短路，因此兩個(gè)MOS管的驅動(dòng)信號會(huì )存在一個(gè)死區時(shí)間，即兩個(gè)MOS管都關(guān)斷。
在死區時(shí)間內，由于電感的電流不能突變，因此同步管Q2的寄生體二極管將率先導通進(jìn)行續流。正是由于體二極管導通后，同步管Q2才被驅動(dòng)導通，在忽略二極管壓降的情況下，同步管Q2導通時(shí)兩端電壓為0，可以看作是0電壓導通；同步管Q2導通后，其兩端電壓為0直至關(guān)斷，因此也是0電壓關(guān)斷。
因此，同步管Q2基本沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗，這意味著(zhù)對于同步管的選取，功耗主要取決于與導通電阻RDS(on)相關(guān)的導通損耗，而開(kāi)關(guān)損耗可以忽略不計，因此不必考慮柵極電荷Qg。而高側的開(kāi)關(guān)管Q1由于開(kāi)通和關(guān)閉時(shí)都不是0電壓，因此要基于導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗綜合來(lái)考慮。
所謂開(kāi)關(guān)損耗是指MOS管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，電壓和電流不為0，存在功率損耗。由前述MOS管導通過(guò)程可知，開(kāi)關(guān)損耗主要集中在t1~t3時(shí)間段內。而米勒平臺時(shí)間和MOS管寄生電容Crss成正比，其在MOS管的開(kāi)關(guān)損耗中所占比例最大，因此米勒電容Crss及所對應的Qgd在MOS管的開(kāi)關(guān)損耗中起主導作用。
因此對于MOS管的選型，不僅需要考慮柵極電荷Qg和柵極電阻Rg，也需要同時(shí)考慮Crss(Cgd)的大小，其同時(shí)也會(huì )在規格書(shū)的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf參數上有間接反映，MOS管的關(guān)鍵參數如圖11所示。
MOS管的各種損耗可以通過(guò)以下公式近似估算：
系數0.5是因為將MOS管導通曲線(xiàn)看成是近似線(xiàn)性，折算成面積功率，系數就是0.5；Vin是輸入電壓，Io是輸出電流；tr和tf是MOS管的上升時(shí)間和下降時(shí)間，分別指的是漏源電壓從90%下降到10%和漏源電壓從10%上升到90%的時(shí)間，可以近似看作米勒平臺的持續時(shí)間，即圖3中的(t3-t2)。另外，規格書(shū)中的td(on)和td(off)可以近似看作是Vgs電壓從0開(kāi)始上升到米勒平臺電壓的時(shí)間，即圖3中的t2。
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