cmos反相器 工作原理是什么 特性是什么
信息來(lái)源：本站 日期：2017-06-03
CMOS(cornplementary MOS)由成對的互補p溝道與n溝道MOSFET所組成．CMoS邏輯成為目前集成電路設計最常用技術(shù)的緣由，在于其有低功率損耗以及較佳的噪聲抑止才干．事實(shí)上，由于低功率損耗的需求，目前僅有CMOS技術(shù)被運用于ULSI的制造．
6.4.1CMOS反相器
如圖6. 28所示，CMOS反相器為CMOS邏輯電路的基本單元．在CMOS反相器中，p與n溝道晶體管的柵極銜接在一同，并作為此反相器的輸入端，而此二晶體管的漏極也連接在一同，并作為反相器的輸出端.n溝道MOSFET的源極與襯底接點(diǎn)均接地，而p溝道MOSFET的源極與襯底則銜接至電源供應端(VDD)，需留意的是p溝道與n溝道MOSFET均為增強型晶體管，當輸入電壓為低電壓時(shí)（即vin=O，VGsn=o
因此，輸出端經(jīng)過(guò)p溝道MOSFET充電至VDD，當輸入電壓逐漸升高，使柵極電壓等于VDD時(shí)，由于VGSn＝VDD>VTn，所以n溝道MOSFET將被導通，而由于｜VGSp ｜≈O<｜VTp｜，所以p溝道MOSFET將被關(guān)閉．因此輸出端將經(jīng)n溝道MOSFET放電至零電勢，
欲更深化天文解CMOS反相器的工作，可先畫(huà)出晶體管的輸出特性，如圖6.29所示，其中顯現Ip以及In為輸出電壓（Vout）函數．Ip為p溝道MOSFET由源極（銜接至VDD）流向漏極（輸出端）的電流；In為n溝道MOSFET由漏極（輸出端）流向源極（銜接至接地端）
的電流．需留意的是在固定Vout下，增加輸入電壓(vin)將會(huì )增加In而減少I(mǎi)p，但是在穩態(tài)時(shí)，In應與Ip相同，關(guān)于給定一個(gè)Vin可由In(Vin)與Ip(Vin)的截距，計算出相對應的Vout如圖6. 29所示．如圖6.30所示的Vin-Vout曲線(xiàn)稱(chēng)為CMOS反相器的傳輸曲線(xiàn)．
CMOS反相器的一個(gè)重要的特性是，當輸出處于邏輯穩態(tài)（即Vout=或VDD）時(shí)，僅有一個(gè)晶體管導通，因此由電源供應處流到地端的電流非常小，且相當于器件關(guān)閉時(shí)的漏電流．事實(shí)上，只需在兩個(gè)器件暫時(shí)導通時(shí)的極短暫態(tài)時(shí)間內才會(huì )有大電流流過(guò)，因此與其他種類(lèi)如n溝道MOSFET、雙極型等邏輯電路相比，其穩態(tài)時(shí)的功率損耗甚低.
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(cháng)按二維碼識別關(guān)注
