1500V3A 變頻器 KNX42150A 1500V3A參數附件-KIA MOS管

1500V3A參數 變頻器

1.產(chǎn)品特點(diǎn)

高速開(kāi)關(guān)

RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V

全隔離塑料包裝

2.應用

交換應用

1500V3A參數 變頻器 MOS管主要參數

1.開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；

通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

（2）漏源極間的穿通擊穿

有些MOS管中，其溝道長(cháng)度較短，不斷增加VDS會(huì )使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長(cháng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達漏區，產(chǎn)生大的ID

4. 柵源擊穿電壓BVGS

在增加柵源電壓過(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。

5. 低頻跨導gm

在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力

是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6. 導通電阻RON  1500V3A參數 變頻器

導通電阻RON說(shuō)明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線(xiàn)的斜率的倒數

在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數字電路中 ，MOS管導通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以?xún)?/span>

7. 極間電容

三個(gè)電極之間都存在著(zhù)極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CGS和CGD約為1～3pF

CDS約在0.1～1pF之間

8. 低頻噪聲系數NF

噪聲是由管子內部載流子運動(dòng)的不規則性所引起的

由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號輸人時(shí)，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）

這個(gè)數值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數

場(chǎng)效應管的噪聲系數約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

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