場(chǎng)效應管的參數及作用、使用優(yōu)勢解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-09-24
直流參數
場(chǎng)效應管的參數，飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí)，對應的漏極電流。
夾斷電壓UP它可定義為：當UDS一定時(shí)，使ID減小到一個(gè)微小的電流時(shí)所需的UGS。
開(kāi)啟電壓UT它可定義為：當UDS一定時(shí)，使ID到達某一個(gè)數值時(shí)所需的UGS。
交流參數
交流參數可分為輸出電阻和低頻互導2個(gè)參數，輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間，而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內，特殊的可達100mS，甚至更高。
低頻跨導gm它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。
極間電容場(chǎng)效應管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。
極限參數
①最大漏極電流是指管子正常工作時(shí)漏極電流允許的上限值，
②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作溫度的限制，
③最大漏源電壓是指發(fā)生在雪崩擊穿、漏極電流開(kāi)始急劇上升時(shí)的電壓，
④最大柵源電壓是指柵源間反向電流開(kāi)始急劇增加時(shí)的電壓值。
除以上參數外，還有極間電容、高頻參數等其他參數。
漏、源擊穿電壓當漏極電流急劇上升時(shí)，產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的UDS。
柵極擊穿電壓結型場(chǎng)效應管正常工作時(shí)，柵、源極之間的PN結處于反向偏置狀態(tài)，若電流過(guò)高，則產(chǎn)生擊穿現象。
使用時(shí)主要關(guān)注的參數有：
1、IDSS—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。
2、UP—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。
3、UT—開(kāi)啟電壓。是指增強型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導通時(shí)的柵極電壓。
4、gM—跨導。是表示柵源電壓UGS—對漏極電流ID的控制能力，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM是衡量場(chǎng)效應管放大能力的重要參數。
5、BUDS—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場(chǎng)效應管上的工作電壓必須小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一項極限參數，是指場(chǎng)效應管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應管實(shí)際功耗應小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源電流。是一項極限參數，是指場(chǎng)效應管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應管的工作電流不應超過(guò)IDSM。
場(chǎng)效應管的參數，場(chǎng)效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。
在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場(chǎng)效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱(chēng)之為雙極型器件。
有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。
場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
1.場(chǎng)效應管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場(chǎng)效應管可以用作可變電阻。
4.場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源。
5.場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
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