mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是能夠對調的，他們都是在P型backgate中構成的N型區。在多數狀況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即便兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被以為是對稱(chēng)的。三極管，是一種電流控制電流的半導體器件-其作用是把微小信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導體根本元器件之一，具有電放逐大作用，是電子電路的中心元件。三極管是在一塊半導體基片上制造兩個(gè)相距很近的PN結，兩個(gè)PN結把整塊半導體分紅三局部，中間局部是基區，兩側局部是發(fā)射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。

工作性質(zhì)：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.

功耗問(wèn)題：三極管損耗大。

驅動(dòng)才能：mos管常用來(lái)電源開(kāi)關(guān)，以及大電流中央開(kāi)關(guān)電路。

MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)所，以及對基極或漏極控制電流比擬敏感的中央。普通來(lái)說(shuō)低本錢(qián)場(chǎng)所，普通應用的先思索用三極管，不行的話(huà)思索MOS管實(shí)踐上說(shuō)電流控制慢，電壓控制快這種了解是不對的。要真正了解得理解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才干明白。三極管是靠載流子的運動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時(shí)，基區和發(fā)射區組成的pn結為阻止多子（基區為空穴，發(fā)射區為電子）的擴散運動(dòng)，在此pn結處會(huì )感應出由發(fā)射區指向基區的靜電場(chǎng)（即內建電場(chǎng)），當基極外加正電壓的指向為基區指向發(fā)射區，當基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內建電場(chǎng)時(shí)，基區的載流子（電子）才有可能從基區流向發(fā)射區，此電壓的最小值即pn結的正導游通電壓（工程上普通以為0.7v）。但此時(shí)每個(gè)pn結的兩側都會(huì )有電荷存在，此時(shí)假如集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場(chǎng)作用下，發(fā)射區的電子往基區運動(dòng)（實(shí)踐上都是電子的反方向運動(dòng)），由于基區寬度很小，電子很容易越過(guò)基區抵達集電區，并與此處的PN的空穴復合（靠近集電極），為維持均衡，在正電場(chǎng)的作用下集電區的電子加速外集電極運動(dòng)，而空穴則為pn結處運動(dòng)，此過(guò)程相似一個(gè)雪崩過(guò)程。集電極的電子經(jīng)過(guò)電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結都會(huì )感應出電荷，當做開(kāi)關(guān)管處于導通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，假如這時(shí)三極管截至，pn結感應的電荷要恢復到均衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需求時(shí)間。而mos三極管工作方式不同，沒(méi)有這個(gè)恢復時(shí)間，因而能夠用作高速開(kāi)關(guān)管。

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