細說(shuō)MOS管知識-MOS管高端驅動(dòng)和低端驅動(dòng)解析及原理與區別-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-09-01
詳解MOS管的高端驅動(dòng)和低端驅動(dòng),我們先來(lái)看看什么是高端驅動(dòng)、什么是低端驅動(dòng)。
高端驅動(dòng):
高端功率開(kāi)關(guān)驅動(dòng)的原理非常簡(jiǎn)單,和低端功率開(kāi)關(guān)驅動(dòng)相對應,就是負載一端和開(kāi)關(guān)管相連,另外一端直接接地。正常情況下,沒(méi)有控制信號的時(shí)候,開(kāi)關(guān)管不導通,負載中沒(méi)有電流流過(guò),即負載處于斷電狀態(tài);
反之,如果控制信號有效的時(shí)候,打開(kāi)開(kāi)關(guān)管,于是電流從電源正端經(jīng)過(guò)高端的開(kāi)關(guān)管,然后經(jīng)過(guò)負載流出,負載進(jìn)入通電狀態(tài),從而產(chǎn)生響應的動(dòng)作。基本的驅動(dòng)原理圖如圖所示。
一般現在采用的開(kāi)關(guān)功率管為N型MOSFET,N型MOSFET的優(yōu)點(diǎn)是驅動(dòng)采用電壓驅動(dòng),驅動(dòng)電流很小,驅動(dòng)功耗低,而且工作頻率可以很高,適用于高速控制,另外MOSFET的導通內阻很低,在毫歐級別,可以通過(guò)的穩定電流很大,因此適用于高功率的驅動(dòng)。P型的MOSFET相對于同樣的硅片面積,導通內阻較大,開(kāi)關(guān)速度也比較慢,故N型MOSFET使用較多。
低端驅動(dòng):
低端功率開(kāi)關(guān)驅動(dòng)的原理非常簡(jiǎn)單,就是負載一端直接和電源正端相連,另外一端直接和開(kāi)關(guān)管相連,正常情況下,沒(méi)有控制信號的時(shí)候,開(kāi)關(guān)管不導通,負載中沒(méi)有電流流過(guò),即負載處于斷電狀態(tài);反之,如果控制信號有效的時(shí)候,打開(kāi)開(kāi)關(guān)管,于是電流從電源正端經(jīng)過(guò)負載,然后經(jīng)過(guò)功率開(kāi)關(guān)流出,負載進(jìn)入通電狀態(tài),從而產(chǎn)生響應的動(dòng)作。基本的驅動(dòng)原理圖如圖所示。
一般現在采用的開(kāi)關(guān)功率管為N型MOSFET,N型MOSFET的優(yōu)點(diǎn)是驅動(dòng)采用電壓驅動(dòng),驅動(dòng)電流很小,驅動(dòng)功耗低,而且工作頻率可以很高,適用用高速控制,另外MOSFET的導通內阻很低,在mΩ級別,可以通過(guò)的穩定電流很大,因此適用于高功率的驅動(dòng)。P型的MOSFET相對于同樣的硅片面積,導通內阻較大,故N型適用較多。
高端驅動(dòng)和低端驅動(dòng)區別:
高端驅動(dòng)是指在負載的供電端進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,低端驅動(dòng)是指在負載的接地端進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作。顯而易見(jiàn)的區別是,如果是低端驅動(dòng),那么負載一端會(huì )始終接供電。應用上有諸多差別,但各有優(yōu)劣,比如,如果你要做電流采樣,那么用高端開(kāi)關(guān)需要做差分采樣,低端開(kāi)關(guān)可以一根線(xiàn)共地采樣。另外還有一些安全性的考慮,比如,如果你的驅動(dòng)失效會(huì )引起安全問(wèn)題,顯然高端開(kāi)關(guān)更安全。
高端驅動(dòng)是指相對于負載工作電壓而言用高電壓控制輸出,而低端驅動(dòng)則是指相對于負載工作電壓而言用低電壓控制輸出。
低端驅動(dòng):MOS管相對于負載在電勢的低端,其中D通過(guò)負載接電源,S直接接地。對于NMOS,只有當Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí),MOS管才能導通。所以當未導通時(shí),S處于一個(gè)不能確定的電位。若讓Vgs大于開(kāi)啟電壓,則DS導通,S確定為地電位,此時(shí)仍可以保證Vgs大于開(kāi)啟電壓,保持DS導通。
而對于PMOS,只有到Vgs小于一個(gè)值,MOS才能導通。此時(shí)S處于一個(gè)不確定的電位。若讓Vgs小于開(kāi)啟電壓,即使導通了,S確定下降到地電位,就不能保證Vgs小于開(kāi)啟電壓。
高端驅動(dòng):MOS管相對于負載在電勢的高端,其中D直接連接電源,S通過(guò)負載接地。對于NMOS,只有當Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí),MOS管才能導通。所以當未導通時(shí),S處于一個(gè)不能確定的電位。即使讓Vgs大于開(kāi)啟電壓,DS導通后,DS電位相等,同為電源電位,除非G極電位比電源電位還高,則不能保持導通狀態(tài)。
而對于PMOS,只有到Vgs小于一個(gè)值,MOS才能導通。此時(shí)S處于一個(gè)不確定的電位。若讓Vgs小于開(kāi)啟電壓,使DS導通,DS同為電源電位,還是能保持Vgs小于開(kāi)啟電壓,是MOS保持導通狀態(tài)。
由上可知,PMOS適合作為高端驅動(dòng),NMOS適合作為低端驅動(dòng)。但是由于工藝等各方面的原因。在大電流情況下,通常仍把NMOS作為高端驅動(dòng)。于是,為了保證高端驅動(dòng)的NMOS的Vgs保持大于開(kāi)啟電壓。我們會(huì )使用半橋驅動(dòng)芯片。半橋驅動(dòng)芯片把高端驅動(dòng)的NMOS的S極作為參考地,輸出一個(gè)恒定的開(kāi)啟電壓,來(lái)控制MOS的導通。
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