什么是漏極 源極 柵極及場(chǎng)效應管的結構原理解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-08-14
場(chǎng)效應管一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
在兩個(gè)高摻雜的P區中間，夾著(zhù)一層低摻雜的N區（N區一般做得很薄），形成了兩個(gè)PN結。在N區的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區上也做上歐姆電極，并把這兩P區連起來(lái)，就構成了一個(gè)場(chǎng)效應管。如圖所示：
N型導電溝道結型場(chǎng)效應管的電路符號
將兩個(gè)P區的引出線(xiàn)連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極（g），在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極（s）和漏極（d），很薄的N區稱(chēng)為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器
共漏極放大電路也具有電壓放大倍數小于1，但接近1；輸出電壓與輸入電壓同相；輸入電阻高，輸出電阻低的特點(diǎn)。
將兩個(gè)P區的引出線(xiàn)連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極，在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極和漏極，很薄的N區稱(chēng)為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器。柵極簡(jiǎn)稱(chēng)為G，源極簡(jiǎn)稱(chēng)為S，漏極簡(jiǎn)稱(chēng)為D。
開(kāi)漏形式電路的特點(diǎn)
1.利用外部電路的驅動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內部的驅動(dòng)，?或驅動(dòng)比芯片電源電壓高的負載。
2.可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin，連接到一條線(xiàn)上。通過(guò)一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C，SMBus等總線(xiàn)判斷總線(xiàn)占用狀態(tài)的原理。
3.由于漏級開(kāi)路，所以后級電路必須接一上拉電阻，上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進(jìn)行任意電平的轉換了。
4.源極開(kāi)路提供了靈活的輸出方式，但是也有其弱點(diǎn)，就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因為上升沿是通過(guò)外接上拉無(wú)源電阻對負載充電，所以當電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小，但功耗大；反之延時(shí)大功耗小。所以如果對延時(shí)有要求，則建議用下降沿輸出。
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