場(chǎng)效應管知識-場(chǎng)效應管主要參數、作用和特點(diǎn)詳解

場(chǎng)效應管簡(jiǎn)介

場(chǎng)效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。主要有兩種類(lèi)型：結型場(chǎng)效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場(chǎng)效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場(chǎng)效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

場(chǎng)效應管主要參數

(1)直流參數

飽和漏極電流IDSS   它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí)，對應的漏極電流。

夾斷電壓UP，它可定義為：當UDS一定時(shí)，使ID減小到一個(gè)微小的電流時(shí)所需的UGS。

開(kāi)啟電壓UT，它可定義為：當UDS一定時(shí)，使ID到達某一個(gè)數值時(shí)所需的UGS。

(2)交流參數

低頻跨導gm，它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。

極間電容，場(chǎng)效應管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。

(3)極限參數

漏、源擊穿電壓，當漏極電流急劇上升時(shí)，產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的UDS。

柵極擊穿電壓，結型場(chǎng)效應管正常工作時(shí)，柵、源極之間的PN結處于反向偏置狀態(tài)，若電流過(guò)高，則產(chǎn)生擊穿現象。

場(chǎng)效應管的特點(diǎn)

場(chǎng)效應管具有放大作用，可以組成放大電路，它與雙極性三極管相比具有以下特點(diǎn)：

（1）場(chǎng)效應管是電壓控制器件，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；

（2）場(chǎng)效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；

（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；

（5）場(chǎng)效應管的抗輻射能力強。

下面我們通過(guò)表格把各種場(chǎng)效應管的符號和特性曲線(xiàn)表示出來(lái)：

場(chǎng)效應管的作用

1.場(chǎng)效應管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

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