MOS管源極和漏極是否可以互換使用分析

MOS管源極和漏極是否能互換使用？

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結型場(chǎng)效應管的源極S和漏極在制造工藝上是對稱(chēng)的，可以互換使用。如把3DJ6應用于功效前置級，D、S極互換后，電路工作狀態(tài)并無(wú)變化。

MOS管的襯底B與源極如果不連在一起，則D、S極可以互換，但有的MOS管由于結構上的原因（即襯底B與源極S連在一起），其D、S極不能互換。作開(kāi)關(guān)管用的場(chǎng)效應管，一般都是功率型NMOS管，就屬于這種特例。對于增強型NMOS管，從其轉移特性看，其Ugs要大于開(kāi)啟電壓（一般為幾伏），管子才導通。

而耗盡型NMOS管盡管Ugs可以為正、零或負值，但其Ugs=Up時(shí)（Up稱(chēng)夾斷電壓，為負的幾伏），Id=0，管子截止，所以對于NMOS管，實(shí)際使用時(shí)，G極對地電位較低，若S極接供電（高電位），則Ugs遠小于0，超出管子的使用條件，必使管子擊穿損壞。

從輸出特性看，對于功率型NMOS管，工作時(shí)Uds》0，其漏極擊穿電壓V（br）ds很高，反之Usd很低，若S接高電位，D接低電位，則MOS管將被擊穿。

綜上所述，MOS管的D、S極不可隨便對調使用，功率型MOS管其D、S極絕不能互換。對于功率型MOS管，D、S極間多接有保護二極管D，有的G、S間極也接有保護二極管，見(jiàn)圖2。

用指針萬(wàn)用表R×100擋測試MOS管任意兩腳間的正反向電阻值，有5次為∞，一次較小，為幾百歐，否則管子一定損壞。阻值較小的這一次，對于NMOS管紅表筆接D極、黑筆接S極；對于PMOS管，紅筆接S極、黑筆接D極，余下的是G極。

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電路設計中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)有何區別？

在做電路設計中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區別工作性質(zhì)：

1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制。

2、成本問(wèn)題：三極管便宜，MOS管貴。

3、功耗問(wèn)題：三極管損耗大。

4、驅動(dòng)能力：MOS管常用來(lái)電源開(kāi)關(guān)，以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。

實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數字電路開(kāi)關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。

一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話(huà)考慮MOS管實(shí)際上說(shuō)電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。

三極管是靠載流子的運動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時(shí)，基區和發(fā)射區組成的pn結為阻止多子（基區為空穴，發(fā)射區為電子）的擴散運動(dòng)，在此pn結處會(huì )感應出由發(fā)射區指向基區的靜電場(chǎng)（即內建電場(chǎng)），當基極外加正電壓的指向為基區指向發(fā)射區，當基極外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)大于內建電場(chǎng)時(shí)，基區的載流子（電子）才有可能從基區流向發(fā)射區，此電壓的最小值即pn結的正向導通電壓（工程上一般認為0.7v）。

但此時(shí)每個(gè)pn結的兩側都會(huì )有電荷存在，此時(shí)如果集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場(chǎng)作用下，發(fā)射區的電子往基區運動(dòng)（實(shí)際上都是電子的反方向運動(dòng)），由于基區寬度很小，電子很容易越過(guò)基區到達集電區，并與此處的PN的空穴復合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場(chǎng)的作用下集電區的電子加速外集電極運動(dòng)，而空穴則為pn結處運動(dòng)，此過(guò)程類(lèi)似一個(gè)雪崩過(guò)程。集電極的電子通過(guò)電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。

三極管工作時(shí)，兩個(gè)pn結都會(huì )感應出電荷，當做開(kāi)關(guān)管處于導通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需要時(shí)間。而MOS三極管工作方式不同，沒(méi)有這個(gè)恢復時(shí)間，因此可以用作高速開(kāi)關(guān)管。

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