p-mos管簡(jiǎn)介-p-mos管工作原理及p-mos管作為開(kāi)關(guān)的條件

p-mos管簡(jiǎn)介

p-mos管是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運送電流的MOS管 全稱(chēng) ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 ： positive MOS。

p-mos管原理

p-mos管的工作原理與NMOS相類(lèi)似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類(lèi)型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電壓，而在襯底感應的是可運動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時(shí)，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。

與NMOS一樣，導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點(diǎn)和飽和區。當然，不論NMOS還是PMOS，當未形成反型溝道時(shí)，都處于截止區，其電壓條件是：

VGS<VTN (NMOS)，

VGS>VTP (PMOS)，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是負值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿(mǎn)足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場(chǎng)效應晶體管具有很高的輸入阻抗，在電路中便于直接耦合，容易制成規模大的集成電路。

p-mos管作為開(kāi)關(guān)的條件

1、p-mos管作為開(kāi)關(guān)，柵源的閥值為-0.4V，當柵源的電壓差為-0.4V就會(huì )使DS導通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導通，D為2.8V。

如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw，那么mos管不導通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導通為系統供電，系統連接到D，利用G控制。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導通。

如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時(shí)候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關(guān)斷。GPIO為低電平的時(shí)候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關(guān)閉。

2、P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反，說(shuō)白了給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助