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MOS管保護電路知識-MOS管自鎖保護電路功能的制作方法-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-06-19 

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MOS管保護電路知識-MOS管自鎖保護電路功能的制作方法

本實(shí)用新型屬于電路保護技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種保護電路,具體是一種自鎖保護電路。


背景技術(shù)

隨著(zhù)電子技術(shù)的發(fā)展,電子器件應用于各行各業(yè),面對各種嚴酷的工作環(huán)境,對電路的保護尤為重要。如果電子器件在工作中出現問(wèn)題,而沒(méi)有保護電路工作,就會(huì )造成電子器件壽命安全性降低,或直接損壞燒毀,造成難以估計的損失。因而為了保證電子器件的安全性和可靠性,一種有效的保護電路是非常重要的。


由于各種復雜的使用環(huán)境,電子器件在使用過(guò)程中難免會(huì )碰到嚴酷的超過(guò)器件本身額定的工作條件,或是人為操作失誤,而這種情況下可能瞬間就會(huì )對電子器件產(chǎn)生損害,人工無(wú)法在很短時(shí)間內對電子器件進(jìn)行斷電保護。


技術(shù)實(shí)現要素

本實(shí)用新型的目的在于提供一種自鎖保護電路,可以在電路發(fā)生故障需要斷開(kāi)總電源時(shí),實(shí)現斷開(kāi)電源后保持自鎖,直到故障解決,電路重新上下電后,重新恢復到工作狀態(tài)。


本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現:

一種自鎖保護電路,包括電源VCC、MOS管Q1和三個(gè)三極管Q2、Q3、Q4,所述電源VCC連接MOS管Q1的漏級,所述MOS管Q1的源級連接用電器;

所述電源VCC與MOS管Q1的漏級之間具有結點(diǎn)M1,所述結點(diǎn)M1通過(guò)電阻R1連接MOS管Q1的柵極;

所述電阻R1與MOS管Q1的柵極之間具有結點(diǎn)M2,所述結點(diǎn)M2連接三極管Q2的集電極,所述三極管Q2的發(fā)射級接地;

所述電阻R1與結點(diǎn)M1之間具有結點(diǎn)M3,所述結點(diǎn)M3連接三極管Q3的集電極,所述三極管Q3的發(fā)射極通過(guò)電阻R2接地;

所述三極管Q3的發(fā)射極與電阻R2之間具有結點(diǎn)M4,所述結點(diǎn)M4分別連接三極管Q2的基級和三極管Q4的基級;

所述電源VCC與結點(diǎn)M1之間具有結點(diǎn)M5,所述結點(diǎn)M5通過(guò)電阻R3連接三極管Q4的發(fā)射極,所述三極管Q4的集電極接地;

所述三極管Q4的發(fā)射極與電阻R3之間具有結點(diǎn)M6,所述結點(diǎn)M6連接二極管D1的正極,所述二極管D1的負極連接三極管Q3的基級;

所述二極管D1的負極與三極管Q3的基極之間具有結點(diǎn)M7,所述結點(diǎn)M7連接反饋控制端。

進(jìn)一步地,所述反饋控制端采用MCU單片機、過(guò)壓保護電路、過(guò)流保護電路或過(guò)溫保護電路。

進(jìn)一步地,所述MOS管Q1采用N型MOS管。

進(jìn)一步地,所述三極管Q2、Q3均采用NPN型三極管,所述三極管Q4采用PNP型三極管。


本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型提供的自鎖保護電路,通過(guò)控制MOS管給用電器供電,通過(guò)反饋控制端給入反饋控制信號控制MOS管的通斷,實(shí)現切斷用電器電源,通過(guò)三個(gè)三極管的開(kāi)關(guān)效應形成環(huán)路控制實(shí)現自鎖保護功能,保持用電器斷路狀態(tài),避免電路在問(wèn)題未解決時(shí)反復重啟問(wèn)題,同時(shí)在解決電路問(wèn)題后重新上下電后,正常給用電器供電,大大提高了電路的安全性,有效保證了用電器電路板壽命和可靠性,保證用電器的安全,成本低,適用于各種電子產(chǎn)品的保護電路搭配,大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險,有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。


附圖說(shuō)明:下面結合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細描述。

圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。

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具體實(shí)施方式

下面將結合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng )造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護的范圍。


如圖1所示,本實(shí)用新型提供了一種自鎖保護電路,包括電源VCC、連接電源VCC和用電器的MOS管Q1以及用于環(huán)路自鎖控制的三個(gè)三極管Q2、Q3、Q4。

其中,MOS管Q1采用N型MOS管,具有柵極、源級和漏級三個(gè)接點(diǎn)。三極管Q2、Q3、Q4均具有基極、集電極和發(fā)射級三個(gè)接點(diǎn),其中,三極管Q2、Q3均采用NPN型三極管,三極管Q4采用PNP型三極管。

電源VCC連接MOS管Q1的漏級D,MOS管Q1的源級S連接用電器,作為用電器的電源輸入;電源VCC與MOS管Q1的漏級D之間具有結點(diǎn)M1,結點(diǎn)M1通過(guò)電阻R1連接MOS管Q1的柵極G。

電阻R1與MOS管Q1的柵極G之間具有結點(diǎn)M2,結點(diǎn)M2連接三極管Q2的集電極C2,三極管Q2的發(fā)射級E2接地。

電阻R1與結點(diǎn)M1之間具有結點(diǎn)M3,結點(diǎn)M3連接三極管Q3的集電極C3,三極管Q3的發(fā)射極E3通過(guò)電阻R2接地。

三極管Q3的發(fā)射極E3與電阻R2之間具有結點(diǎn)M4,結點(diǎn)M4分別連接三極管Q2的基級B2和三極管Q4的基級B4。

電源VCC與結點(diǎn)M1之間具有結點(diǎn)M5,結點(diǎn)M5通過(guò)電阻R3連接三極管Q4的發(fā)射極E4,三極管Q4的集電極C4接地。

三極管Q4的發(fā)射極E4與電阻R3之間具有結點(diǎn)M6,結點(diǎn)M6連接二極管D1的正極,二極管D1的負極連接三極管Q3的基級B3。

二極管D1的負極與三極管Q3的基極B3之間具有結點(diǎn)M7,結點(diǎn)M7連接反饋控制端。反饋控制端采用MCU單片機、過(guò)壓保護電路、過(guò)流保護電路或過(guò)溫保護電路等,當檢測到用電器出現過(guò)壓、過(guò)流或過(guò)溫等故障時(shí),輸出反饋控制信號(高電平信號)到結點(diǎn)M7。


本實(shí)用新型工作原理

系統上電后,MOS管Q1導通,用電器正常工作;當反饋控制端檢測到用電器出現過(guò)壓、過(guò)流或過(guò)溫等故障時(shí),輸出高電平信號到結點(diǎn)M7,此時(shí)三極管Q3導通,結點(diǎn)M4的電平被拉高,進(jìn)而三極管Q2導通,結點(diǎn)M2的電平被拉低,使得MOS管Q1斷開(kāi),用電器斷電;同時(shí),因結點(diǎn)M4的電平被拉高,導致三極管Q4斷開(kāi),從而保證結點(diǎn)M7電壓被鎖定在高電平狀態(tài),即MOS管Q1被鎖定在斷開(kāi)狀態(tài),直到系統斷電重啟后恢復正常導通狀態(tài)。


本實(shí)用新型提供的自鎖保護電路,通過(guò)控制MOS管給用電器供電,通過(guò)反饋控制端給入反饋控制信號控制MOS管的通斷,實(shí)現切斷用電器電源,通過(guò)三個(gè)三極管的開(kāi)關(guān)效應形成環(huán)路控制實(shí)現自鎖保護功能,保持用電器斷路狀態(tài),避免電路在問(wèn)題未解決時(shí)反復重啟問(wèn)題,同時(shí)在解決電路問(wèn)題后重新上下電后,正常給用電器供電,大大提高了電路的安全性,有效保證了用電器電路板壽命和可靠性,保證用電器的安全,成本低,適用于各種電子產(chǎn)品的保護電路搭配,大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險,有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。


在本說(shuō)明書(shū)的描述中,參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”等的描述意指結合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中,對上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且,描述的具體特征、結構、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結合。


以上內容僅僅是對本實(shí)用新型結構所作的舉例和說(shuō)明,所屬本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補充或采用類(lèi)似的方式替代,只要不偏離實(shí)用新型的結構或者超越本權利要求書(shū)所定義的范圍,均應屬于本實(shí)用新型的保護范圍。


技術(shù)總結

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種自鎖保護電路,通過(guò)控制MOS管給用電器供電,通過(guò)反饋控制端給入反饋控制信號控制MOS管的通斷,實(shí)現切斷用電器電源,通過(guò)三個(gè)三極管的開(kāi)關(guān)效應形成環(huán)路控制實(shí)現自鎖保護功能,保持用電器斷路狀態(tài),避免電路在問(wèn)題未解決時(shí)反復重啟問(wèn)題,同時(shí)在解決電路問(wèn)題后重新上下電后,正常給用電器供電,大大提高了電路的安全性,有效保證了用電器電路板壽命和可靠性,保證用電器的安全,成本低,適用于各種電子產(chǎn)品的保護電路搭配,大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險,有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。


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