MOSFET電路類(lèi)型集合與特性分析 MOSFET開(kāi)關(guān)電路

MOSFET驅動(dòng)電路

為了幫助MOSFET最大化導通和關(guān)斷時(shí)間，需要驅動(dòng)電路。如果MOSFET需要相對較長(cháng)的時(shí)間進(jìn)出導通，那么我們就無(wú)法利用MOSFET的優(yōu)勢。這將導致MOSFET發(fā)熱，器件將無(wú)法正常工作。MOSFET驅動(dòng)器通常可以使用自舉電路來(lái)產(chǎn)生電壓，以將柵極驅動(dòng)到比MOSFET電源電壓更高的電壓。

實(shí)際上，MOSFET的柵極像驅動(dòng)器的電容器一樣，或者驅動(dòng)器可以通過(guò)分別對柵極充電或放電來(lái)非常快速地導通或關(guān)斷MOSFET。

MOSFET開(kāi)關(guān)電路

MOSFET工作在三個(gè)區域切斷區域三極管區域和飽和區域。當MOSFET處于截止三極管區域時(shí)，它可以用作開(kāi)關(guān)。

MOSFET開(kāi)關(guān)電路由兩個(gè)主要部分MOSFET（按照晶體管工作）和開(kāi)/關(guān)控制模塊組成。當晶體管導通時(shí)，MOSFET將電壓源傳遞給特定負載。在大多數情況下，n溝道MOSFET優(yōu)于p溝道MOSFET，具有多種優(yōu)勢。

在MOSFET開(kāi)關(guān)電路中，漏極直接連接到輸入電壓，而源極連接到負載。對于導通n溝道MOSFET，柵極到源極電壓必須大于閾值電壓必須大于器件的閾值電壓。對于p溝道MOSFET，源極到柵極電壓必須大于器件的閾值電壓。MOSFET表現為比BJT更好的開(kāi)關(guān)，因為MOS開(kāi)關(guān)中不存在偏移電壓。

MOSFET逆變電路

逆變電路是數字電路設計的基本構建模塊之一。逆變器可以直接應用于邏輯門(mén)和其他更復雜的數字電路的設計。理想逆變器的傳輸特性如下所示。

MOSFET,集成電路

早期的MOS數字電路是使用p-MOSFET制造的。但隨著(zhù)微電子技術(shù)的進(jìn)步，MOS的閾值電壓可以得到控制，MOS技術(shù)成為主導，因為大多數n-MOS載流子，即電子比空穴快兩倍，p-MOS的多數載流子，所以在CMOS技術(shù)到來(lái)之前，逆變器電路也使用n-MOS技術(shù)。這里我們討論三種類(lèi)型的MOS逆變器電路。

電阻負載n-MOS逆變器：

它是最簡(jiǎn)單的MOSFET逆變器電路，它具有負載電阻 R和n-MOS晶體管，它們串聯(lián)在電源電壓和地之間，如下所示。

MOSFET,集成電路