碳化硅mosfet結構特征-應用優(yōu)勢與Si MOSFET對比分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-04-21
在碳化硅mosfet的開(kāi)發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
碳化硅mosfet（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。另一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長(cháng)方法。其溝槽星結構的優(yōu)勢如下：
碳化硅mosfet采用溝槽結構可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。
碳化硅mosfet的優(yōu)勢在哪里？硅IGBT在一般情況下只能工作在20kHz以下的頻率。由于受到材料的限制，高壓高頻的硅器件無(wú)法實(shí)現。碳化硅MOSFET不僅適合于從600V到10kV的廣泛電壓范圍，同時(shí)具備單極型器件的卓越開(kāi)關(guān)性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在開(kāi)關(guān)電路中不存在電流拖尾的情況具有更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的工作頻率。
20kHz的碳化硅MOSFET模塊的損耗可以比3kHz的硅IGBT模塊低一半， 50A的碳化硅模塊就可以替換150A的硅模塊。顯示了碳化硅MOSFET在工作頻率和效率上的巨大優(yōu)勢。
碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復時(shí)間trr和反向恢復電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等電壓規格硅基MOSFET的5%。對于橋式電路來(lái)說(shuō)（特別當LLC變換器工作在高于諧振頻率的時(shí)候），這個(gè)指標非常關(guān)鍵，它可以減小死區時(shí)間以及體二極管的反向恢復帶來(lái)的損耗和噪音，便于提高開(kāi)關(guān)工作頻率。
碳化硅mosfet模塊在光伏、風(fēng)電、電動(dòng)汽車(chē)及軌道交通等中高功率電力系統應用上具有巨大的優(yōu)勢。碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢，可以突破現有電動(dòng)汽車(chē)電機設計上因器件性能而受到的限制，這是目前國內外電動(dòng)汽車(chē)電機領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)。如電裝和豐田合作開(kāi)發(fā)的混合電動(dòng)汽車(chē)（HEV）、純電動(dòng)汽車(chē)（EV）內功率控制單元（PCU），使用碳化硅MOSFET模塊，體積比減小到1/5。
三菱開(kāi)發(fā)的EV馬達驅動(dòng)系統，使用SiC MOSFET模塊，功率驅動(dòng)模塊集成到了電機內，實(shí)現了一體化和小型化目標。預計在2018年-2020年碳化硅MOSFET模塊將廣泛應用在國內外的電動(dòng)汽車(chē)上。
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。
在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對于以往的Si材質(zhì)器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。
SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場(chǎng)強和高工作溫度。其優(yōu)點(diǎn)主要可以概括為以下幾點(diǎn)：
1) 高溫工作
SiC在物理特性上擁有高度穩定的晶體結構，其能帶寬度可達2.2eV至3.3eV，幾乎是Si材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，SiC器件所能達到的最大工作溫度可到600 oC。
2) 高阻斷電壓
與Si材料相比，SiC的擊穿場(chǎng)強是Si的十倍多，因此SiC器件的阻斷電壓比Si器件高很多。
3) 低損耗
一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場(chǎng)強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且SiC器件導通損耗對溫度的依存度很小，SiC器件的導通損耗 隨溫度的變化很小，這與傳統的Si器件也有很大差別。
4) 開(kāi)關(guān)速度快
SiC的熱導系數幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的頻率下工作。
綜合以上優(yōu)點(diǎn)，在相同的功率等級下，設備中功率器件的數量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時(shí)效率也有大幅度的提升。
在碳化硅mosfet的開(kāi)發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
1、碳化硅(SiC)MOSFET 建模
雖然碳化硅mosfet比傳統的Si MOSFET有很多優(yōu)點(diǎn)，但其昂貴的價(jià)格卻限制了SiC MOSFET的廣泛應用。近年來(lái)隨著(zhù)SiC技術(shù)的成熟，SiC MOSFET的價(jià)格已經(jīng)有了顯著(zhù)的下降，應用范圍也進(jìn)一步擴展，在不久的將來(lái)必將成為新一代主流的低損耗功率器件。 在實(shí)際的工程應用及設計開(kāi)發(fā)過(guò)程中，經(jīng)常需要對SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)特性、靜態(tài)特性及功率損耗進(jìn)行分析，以便對整個(gè)系統的效率做有效的評估。因此，有必要建立一個(gè)精確的SiC MOSFET模型作為工程應用中系統分析和效率評估的基礎。
2、碳化硅mosfet的驅動(dòng)
由于SiC MOSFET器件特性與傳統的Si MOSFET有較大差別，SiC MOSFET驅動(dòng)電路也是一項研究的重點(diǎn)。相比于Si MOSFET，SiC MOSFET的寄生電容更小。
綜上所述，結合SiC MOSFET本身的特點(diǎn)及優(yōu)勢，其驅動(dòng)電路的設計應滿(mǎn)足以下要求：
1) 滿(mǎn)足SiC MOSFET高速開(kāi)關(guān)的要求，使用驅動(dòng)能力較強的驅動(dòng)芯片。
2) 盡量減小驅動(dòng)電路寄生電感的影響，在PCB布局時(shí)應加入適量的吸收電容。
3) 為保證SiC MOSFET的可靠關(guān)斷，避免噪聲干擾可能導致的誤開(kāi)通，應采用負壓關(guān)斷。
3、雙有源橋(DAB)研究及應用
雙有源橋(DAB)作為大功率隔離雙向DC-DC變換器的一種，其拓撲最早由DeDoncker于1988年提出DAB主要應用于HEV中蓄電池側與高壓直流母線(xiàn)之間的雙向能量傳輸、航空電源系統及新能源系統中，與其他大功率隔離雙向DC-DC變換器相比，DAB的最大優(yōu)勢是其功率密度大，且體積重量相對較小。
DAB結構對稱(chēng)，兩邊各由全橋結構的拓撲構成，可實(shí)現能量的雙向傳輸，且能實(shí)現兩側的電氣隔離。開(kāi)關(guān)管應力較低，且沒(méi)有額外的濾波電感，僅通過(guò)變壓器的漏感作為能量傳輸單元，變換器可實(shí)現很高的功率密度。電流紋波不是很大，對輸入輸出側的濾波電容的要求不是很高。DAB在一定功率范圍內可以實(shí)現ZVS軟開(kāi)關(guān)，這樣DAB的工作頻率就可以設置得較高，可進(jìn)一步減小變壓器和濾波電容的體積，提高功率密度。
傳統的DAB一般采用移相控制，其中φ為移相角，變壓器原副邊匝比設為n。當功率從VL流向VH時(shí)，開(kāi)關(guān)管Q1、Q4超前Q5、Q8；當功率從VH流向VL時(shí)，開(kāi)關(guān)管Q5、Q8超前Q1、Q4。但傳統控制策略下的DAB有諸多問(wèn)題，比如軟開(kāi)關(guān)范圍窄、輕載時(shí)功率回流現象嚴重、電壓輸入范圍窄等。
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