耗盡型與增強型MOS管的區別詳解

耗盡型與增強型MOS管的區別主要在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導電溝道存在，而增強型MOS管只有在開(kāi)啟后，才會(huì )出現導電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負電壓控制導通，而增強型MOS管必須使得VGS>VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。

耗盡型與增強型MOS管簡(jiǎn)述

場(chǎng)效應管分為結型場(chǎng)效應管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應管（MOS管）兩大類(lèi)。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場(chǎng)效應管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

場(chǎng)效應晶體管可分為結場(chǎng)效應晶體管和MOS場(chǎng)效應晶體管，而MOS場(chǎng)效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類(lèi)。

絕緣柵場(chǎng)效應管是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱(chēng)為金屬—氧化物—半導體場(chǎng)效應管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管。

絕緣柵型場(chǎng)效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場(chǎng)效應管為例)它是利用UGS來(lái)控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時(shí)，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著(zhù)柵極電壓的變化而變化。

場(chǎng)效應管的工作方式有兩種：所謂的增強還是耗盡，主要是指MOS管內的反型層。如果在不通電情況下，反型層不存在，電壓加到一定程度后，反型層才出現，(當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的)這個(gè)就是增強。相反，如果反型層一開(kāi)始就存在，隨著(zhù)電壓強弱，反型層會(huì )出現增加或者衰減，(當柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的)這個(gè)就是耗盡。

耗盡型與增強型MOS管的區別詳解

耗盡型與增強型的主要區別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導電溝道存在，而增強型MOS管只有在開(kāi)啟后，才會(huì )出現導電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負電壓控制導通，而增強型MOS管必須使得VGS>VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。

由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負離子），當VGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)能在P型襯底中感應出足夠的電子，形成N型導電溝道；當VGS>0時(shí)，將產(chǎn)生較大的ID（漏極電流）；如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng)，使N溝道變窄，從而使ID減小。

這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應用中，當設備開(kāi)機時(shí)可能會(huì )誤觸發(fā)MOS管，導致整機失效；不易被控制，使得其應用極少。

因此，日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng)。不過(guò)PMOS由于存在導通電阻大、價(jià)格貴、替換種類(lèi)少等問(wèn)題，在高端驅動(dòng)中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無(wú)論是應用還是產(chǎn)品種類(lèi)，增強型NMOS管最為常見(jiàn)的重要原因，尤其在開(kāi)關(guān)電源和馬達驅動(dòng)的應用中，一般都用NMOS管。

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