MOSFET-MOSFET與符號圖文解析（附動(dòng)畫(huà)圖）-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-04-01
MOSFET與符號詳解,MOSFET是很常用的一個(gè)器件，可以起到“導通”“截止”的狀態(tài)，大量的用在電源處理中。先從量上來(lái)說(shuō)，NMOS器件是比PMOS要更常見(jiàn)，因為PMOS開(kāi)關(guān)慢，電壓高，很費勁。如果能找到源柵漏這幾個(gè)標注，可以通過(guò)寄生二極管的方向來(lái)做判斷。
今天寫(xiě)一下，MOS管電路符號和寄生二極管方向，和半導體類(lèi)型的對應關(guān)系。
NMOS和PMOS，都是MOS管的一種類(lèi)型。MOS，叫金屬氧化物半導體。
氧化物是一個(gè)絕緣介質(zhì)，氧化物上下兩側都是金屬，那就是一個(gè)電容。
氧化物其中一側是半導體，另一側是金屬，其實(shí)也是一個(gè)電容。
如果給MOS的M金屬側加正電荷，那挨著(zhù)介質(zhì)的一側就會(huì )被感應出負電荷。
一般半導體是一個(gè)體結構，標注為block，B，看電路符號都是有個(gè)箭頭，那個(gè)箭頭表示了電子被感應的方向。上圖金屬正電荷，在介質(zhì)靠近金屬的地方，感應出很多電子。
繼續設計這個(gè)結構，兩側做成n型半導體，n型半導體里邊是有自由電子。MOS管加電壓，感應吸附自由電子靠近氧化物，這些自由電子就把兩側的n型半導體導通了的。
金屬氧化物半導體，不加電，兩側半導體不導通。
MOS，控制兩側N型半導體是否導通，這是個(gè)NMOS，那底下的襯底就要做成P型半導體。在電路符號里，就會(huì )看到這么標注。
襯底做成P型，是在無(wú)電壓的情況下，源和漏是一對兒背靠背的二極管，能夠穩定截止。
綜合一下，NMOS的電路符號是這樣的。
一般咱們適用的MOS管，并不會(huì )做成四個(gè)電極，而是會(huì )吧體電極與源合并。
小結一下NMOS：
① MOS中金屬加正電壓，底部感應出電子
② 自由電子，導通兩側的n型半導體
③ 零電壓時(shí)，源漏之間是反向截止二極管。
同理，下圖PMOS
① MOS中金屬加負電壓，底部感應出空穴，（下頭的箭頭，是電子的方向，空穴流向氧化物邊緣，電子則會(huì )遠離）
② 空穴增多，導通兩側的p型半導體，（P型半導體也是有空穴）
③ 零電壓時(shí)，源漏之間是反向截止二極管。（PMOS源漏之間的電壓和PN結的電壓，通通都和NMOS反向。依然是截止。）
但凡可以看到源漏標注，就可以通過(guò)寄生電壓的方式來(lái)判別是nmos還是pmos。
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