MOS管掃盲文-告訴你N溝道和P溝道簡(jiǎn)單的判斷方法與作用-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-03-19
MOS管N溝道：
在看MOS管N溝道和P溝道判斷方法之前，先簡(jiǎn)單的了解一下MOS管N溝道和P溝道。由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時(shí)，就有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
N溝道MOS管集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負載問(wèn)題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過(guò)，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)（電位）上拉電阻R，R的取值一般選用2～100KΩ。
金屬氧化物半導體場(chǎng)效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)，P溝道硅MOS場(chǎng)效應晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道增強型場(chǎng)效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應晶體管。統稱(chēng)為P溝道MOS管晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。
PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(cháng)，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿(mǎn)足PMOS對輸入電平的要求。
MOS管N溝道和P溝道判斷方法詳解如下：
1、MOS的三個(gè)極怎么判定：
MOS管符號上的三個(gè)腳的辨認要抓住關(guān)鍵地方。
G極，不用說(shuō)比較好認。
S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線(xiàn)相交的就是;
D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線(xiàn)的那邊。
2、他們是N溝道還是P溝道?
三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：
當然也可以先判斷溝道類(lèi)型，再判斷三個(gè)腳極性。
先判斷是什么溝道，再判斷三個(gè)腳極性。
3、寄生二極管的方向如何判定?
接下來(lái)，是寄生二極管的方向判斷：
它的判斷規則就是：
N溝道，由S極指向D極;
P溝道，由D極指向S極。
4、簡(jiǎn)單的判斷方法
上面方法不太好記，一個(gè)簡(jiǎn)單的識別方法是：(想像DS邊的三節斷續線(xiàn)是連通的)
不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：
要么都由S指向D，要么都由D指向S。
5、它能干嗎用呢?
在我們天天面對的筆記本主板上，MOS管有兩大作用：
開(kāi)關(guān)作用(1):PQ27控制腳為低電平
開(kāi)關(guān)作用(2):PQ27控制腳為高電平，以上MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現的是信號切換(高低電平切換)。
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