mos管公式-分享MOS管公式驅動(dòng)電流、飽和區電流等-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2020-02-27
mos管公式驅動(dòng)電流的估算第一種:
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS導通延遲時(shí)間，從有駛入電壓上升到10%開(kāi)始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。
Tr：上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
mos管公式驅動(dòng)電流的估算第二種:
密勒效應時(shí)間（開(kāi)關(guān)時(shí)間）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS柵極驅動(dòng)電流；Vb：穩態(tài)柵極驅動(dòng)電壓；
mos管公式驅動(dòng)電流的估算第三種:
以IR的IRF640為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線(xiàn)。該曲線(xiàn)先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通（密勒效應）假定你希望在0.2us內使管子開(kāi)通，估計總時(shí)間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：
67nC/0.4us=0.1675A，當然，這是峰值，僅在管子開(kāi)通和關(guān)短的各0.2us里有電流，其他時(shí)間幾乎沒(méi)有電流，平均值很小，但如果驅動(dòng)芯片不能輸出這個(gè)峰值，管子的開(kāi)通就會(huì )變慢。
mos管公式飽和區電流公式，在強反型狀態(tài)下飽和區中的工作。小信號參數的值因MOS晶體管的工作區域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態(tài)，而且工作在飽和區，求這種狀況下的小信號參數。
可將跨導gm表示如下：
在能夠疏忽溝道長(cháng)度調制效應的狀況下，得到
這個(gè)跨導gm能夠用漏極電流ID表示為
也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為
體跨導gmb能夠由下式求得：
由式(1．18)和式(1.20)，能夠分別導出
所以得到
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
