mos管飽和區電流公式與MOS的其他三個(gè)區域解析

mos場(chǎng)效應管四個(gè)區域

本文主要講mos管飽和區電流公式，但是我們先來(lái)看一下mos場(chǎng)效應管四個(gè)區域詳解。

1）可變電阻區（也稱(chēng)非飽和區）

滿(mǎn)足Ucs》Ucs（th）（開(kāi)啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開(kāi)啟。在該區域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時(shí)，ip與uDs成線(xiàn)性關(guān)系，該區域近似為一組直線(xiàn)。這時(shí)場(chǎng)效管D、S間相當于一個(gè)受電壓UGS控制的可變電阻。

2）恒流區（也稱(chēng)飽和區、放大區、有源區）

滿(mǎn)足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區域，在該區域內，當uGs一定時(shí)，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時(shí)場(chǎng)效應管D、S間相當于一個(gè)受電壓uGs控制的電流源。場(chǎng)效應管用于放大電路時(shí)，一般就工作在該區域，所以也稱(chēng)為放大區。

3）夾斷區（也稱(chēng)截止區）

夾斷區（也稱(chēng)截止區）滿(mǎn)足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區域，其溝道被全部夾斷，稱(chēng)為全夾斷，io=0，管子不工作。

4）擊穿區位

擊穿區位于圖中右邊的區域。隨著(zhù)UDs的不斷增大，PN結因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時(shí)應避免管子工作在擊穿區。

轉移特性曲線(xiàn)可以從輸出特性曲線(xiàn)。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線(xiàn)，將其與各條曲線(xiàn)的交點(diǎn)對應的i、Us值在ib- Uss 坐標中連成曲線(xiàn)，即得到轉移性曲線(xiàn)，如圖3（b）所示。

mos管飽和區電流公式及其詳解

mos管飽和區電流公式，在強反型狀態(tài)下飽和區中的工作。小信號參數的值因MOS晶體管的工作區域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態(tài)，而且工作在飽和區，求這種狀況下的小信號參數。

可將跨導gm表示如下：

在能夠疏忽溝道長(cháng)度調制效應的狀況下，得到

這個(gè)跨導gm能夠用漏極電流ID表示為

也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為

體跨導gmb能夠由下式求得：

由式(1．18)和式(1.20)，能夠分別導出

所以得到

應用式(1.18)，能夠將漏極電導表示為

應用這些小信號參數，能夠將小信號漏極電流id表示為下式：

MOS管的夾斷區和飽和區的區別是什么

柵極電壓可以產(chǎn)生溝道，也可以使溝道消失——夾斷；而源-漏電壓也有可能使MOSFET的溝道夾斷（局部夾斷），則溝道夾斷的電壓對應有兩個(gè)電壓。一般，產(chǎn)生或者夾斷溝道的柵極電壓稱(chēng)為閾值電壓VT，而使溝道夾斷的源-漏電壓往往稱(chēng)為飽和電壓Vsat，因為這時(shí)的源-漏電流最大、并飽和（即與源-漏電壓無(wú)關(guān)）。

（1） 耗盡型n-MOSFET：

耗盡型MOSFET在柵極電壓為0時(shí)即存在溝道。當負柵電壓增大到使溝道夾斷（整個(gè)溝道均勻夾斷）時(shí)，這時(shí)的柵電壓就稱(chēng)為夾斷電壓Vp——耗盡型MOSFET的閾值電壓。

在VGS>Vp時(shí)，IDS=0，即為截止狀態(tài)。

在VGS<Vp時(shí)，存在溝道，IDS≠0：若VDS較低，則為線(xiàn)性導電狀態(tài)；若VDS= (Vp－VGS)時(shí)，則溝道在漏極端附近處夾斷（非整個(gè)溝道夾斷），漏極電流達到最大——飽和電流，這時(shí)的源-漏電壓就稱(chēng)為飽和電壓。飽和電壓也就是使溝道發(fā)生局部夾斷時(shí)的源-漏電壓。在VDS≥Vsat=(Vp－VGS)即為MOSFET的飽和區。

（2）增強型n-MOSFET：

增強型MOSFET在柵極電壓為0時(shí)即不存在溝道。當正柵電壓增大到出現溝道時(shí)，這時(shí)的柵極電壓特稱(chēng)為開(kāi)啟電壓Vop——增強型MOSFET的閾值電壓。

在VGS<Vop時(shí)，沒(méi)有溝道，則IDS=0，即為截止狀態(tài)。

在VGS>Vop時(shí)，存在溝道，IDS≠0：若VDS較低，則為線(xiàn)性導電狀態(tài)；若VDS≥ (VGS－Vop)時(shí)，則溝道在漏極端附近處夾斷（非整個(gè)溝道夾斷），漏極電流達到最大、并飽和，MOSFET即進(jìn)入飽和狀態(tài)。溝道開(kāi)始夾斷時(shí)的源-漏電壓即為飽和電壓Vsat= (VGS－Vop)。

（3）溝道夾斷以后的導電性：

場(chǎng)效應晶體管是依靠多數載流子在溝道中的導電來(lái)工作的。沒(méi)有溝道（柵極電壓小于閾值電壓時(shí)），即不導電——截止狀態(tài)。出現了溝道（柵極電壓大于閾值電壓時(shí)），即可導電；并且在源-漏電壓增大到使得溝道在漏極端夾斷以后，其電流達到最大——飽和電流，即導電性能更好。為什么集電區能夠很好地導電？

因為溝道夾斷區實(shí)際上就是載流子被耗盡的區域，其中存在有沿著(zhù)溝道方向的電場(chǎng)，所以只要有載流子到達夾斷區邊緣，就很容易被掃過(guò)夾斷區而到達漏極——輸出電流?？梢?jiàn)，溝道夾斷區與BJT的反偏集電結的勢壘區類(lèi)似，不但不起阻擋載流子的作用，而且還將有利于載流子的通過(guò)。因此，溝道夾斷以后，器件的輸出電流飽和，即達到最大。

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