MOS管150V原廠(chǎng)直銷(xiāo) 性?xún)r(jià)比高-150V MOS規格書(shū)、參數、封裝-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-12-16
深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導體已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場(chǎng)效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標，KIA半導體正在持續創(chuàng )新，永不止步！
150V KNX7115A是性能最好的溝槽N型MOSFET，具有極高的單元密度。大部分為同步降壓變換器提供了優(yōu)良的RDSON和柵極電荷應用。KNX7115A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證全功能可靠性認證。
RDS(on)=77mΩ@VGS=10V
超低門(mén)電荷
使用綠色設備
先進(jìn)的高密度槽技術(shù)
型號：KNX7115A
工作方式：20A/150V
漏源電壓：150V
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:40A
單脈沖雪崩能量：53MJ
雪崩電流:18A
漏源擊穿電壓:150V
柵源漏電流:±100nA
輸入電容：2285pF
輸出電容：110pF
反向轉移電容：83pF
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聯(lián)系方式：鄒先生
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