場(chǎng)效應管詳解-場(chǎng)效應管的作用是什么 到底好在哪里

場(chǎng)效應管簡(jiǎn)介

說(shuō)到場(chǎng)效應管，它到底有什么作用，到底好在哪些地方呢？這也是這篇文章要講的，現在我們來(lái)看看場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)介，它主要有兩種類(lèi)型：結型場(chǎng)效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場(chǎng)效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管。

它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場(chǎng)效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。

場(chǎng)效應管的主要參數

場(chǎng)效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時(shí)只需關(guān)注以下主要參數：飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開(kāi)啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。

（1）飽和漏源電流

飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。

（2）夾斷電壓

夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線(xiàn)，可明白看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UGS-ID曲線(xiàn)。

（3）開(kāi)啟電壓

開(kāi)啟電壓UT是指加強型絕緣柵場(chǎng)效應管中，使漏源間剛導通時(shí)的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線(xiàn)，可明白看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線(xiàn)。

（4）跨導

跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權衡場(chǎng)效應管放大才能的重要參數。

（5）漏源擊穿電壓

漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應管正常工作所能接受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場(chǎng)效應管上的工作電壓必需小于BUDS。

（6）最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場(chǎng)效應管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。運用時(shí)場(chǎng)效應管實(shí)踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。

（7）最大漏源電流

最大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場(chǎng)效應管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應管的工作電流不應超越IDSM。

場(chǎng)效應管的作用，到底好在哪里

場(chǎng)效應管的作用如下：

1.場(chǎng)效應管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

6.場(chǎng)效應管在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負載，易于跟前級匹配。

場(chǎng)效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場(chǎng)效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

場(chǎng)效應管是利用多數載流子導電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱(chēng)之為雙極型器件。

有些場(chǎng)效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

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