mos管封裝引腳圖大全及如何區分mos管封裝引腳的各個(gè)極-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-11-20
MOS管芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構成完整的電路。
按照安裝在PCB 方式來(lái)區分,MOS管封裝主要有兩大類(lèi):插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB的安裝孔焊接在PCB 上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤(pán)上。
結構方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA－>CSP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引腳形狀：長(cháng)引線(xiàn)直插－>短引線(xiàn)或無(wú)引線(xiàn)貼裝－>球狀凸點(diǎn)；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝
TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來(lái)表面貼裝市場(chǎng)需求量增大，TO封裝也進(jìn)展到表面貼裝式封裝。
TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱(chēng)之為D-PAK，TO-263又稱(chēng)之為D2PAK。
D-PAK封裝的MOSFET有3個(gè)電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過(guò)PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極（D）焊盤(pán)較大。
如下面的mos管封裝引腳圖TO-252：
SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比TO封裝體積小，一般用于小功率MOSFET。常見(jiàn)的規格如上。
主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
如下圖mos管封裝引腳圖SOT-23
SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀（L 字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的數字表示引腳數。MOSFET的SOP封裝多數采用SOP-8規格，業(yè)界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。
SO-8采用塑料封裝，沒(méi)有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。
SO-8是PHILIP公司首先開(kāi)發(fā)的，以后逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標準規格。
這些派生的幾種封裝規格中，TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
QFN（Quad Flat Non-leaded package）是表面貼裝型封裝之一，中文叫做四邊無(wú)引線(xiàn)扁平封裝，是一種焊盤(pán)尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)?，F在多稱(chēng)為L(cháng)CC。QFN是日本電子機械工業(yè)會(huì )規定的名稱(chēng)。
封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無(wú)引線(xiàn)，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。這種封裝也稱(chēng)為L(cháng)CC、PCLC、P－LCC等。QFN本來(lái)用于集成電路的封裝，MOSFET不會(huì )采用的。Intel提出的整合驅動(dòng)與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝，56是指在芯片背面有56個(gè)連接Pin。
1.判斷柵極G
MOS驅動(dòng)器主要起波形整形和加強驅動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點(diǎn)評切換階段會(huì )造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅動(dòng)能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時(shí)間.
將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個(gè)PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
