在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應管引發(fā)了電源工業(yè)的反動(dòng)，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的展開(kāi)。由于MOSFET管具有更快的開(kāi)關(guān)速度，電源開(kāi)關(guān)頻率可以做得更高，可以從50kHz進(jìn)步到200kHz以致400kHz。同時(shí)也使得開(kāi)關(guān)電源的體積變得更小，由此產(chǎn)生了大量運用小型電源的新產(chǎn)品。個(gè)人計算機的不時(shí)小型化就是一個(gè)典型的例子 。

開(kāi)關(guān)電源工作頻率的不時(shí)進(jìn)步促使電子元件工業(yè)發(fā)作了普遍的改造。半導體工業(yè)首當其沖，更多的研討經(jīng)費投入于MOSFET管的研討。MOS管的額定電壓和額定電流得到了 顯著(zhù)進(jìn)步 ，本錢(qián)卻逐漸降落 ，使它可以應用于大量新的場(chǎng)所 。目前己經(jīng)開(kāi)發(fā)出在高頻率、高磁通密度條件下有更低損耗的磁性元件 ，并且推出了能工 作在更高頻率的 PWM 芯片。工作頻率的進(jìn)步和變壓器、濾波電容體積的減小，懇求其他器件的尺寸也要減小，從而對制造工藝提出了更高的懇求（比如表面安裝技術(shù) SMT ） 。諧振電源半橋是一個(gè)新的工業(yè)和研討范疇。頻率為2030kHz，運用可控硅整流器的諧振電源曾經(jīng)運用了多年。

MOS目T管的呈現使電路可以工作在更高的頻率，大量研討人員正著(zhù)手開(kāi)發(fā)各種頻率為0.35MHz的新型諧振電路拓撲。在頻率高于lOOkHz的設計中，設計者必需認真思索原本在頻率低于lOOkHz時(shí)可以忽略的現象。比如集膚效應，特別是變壓器線(xiàn)圈的臨近效應損耗 ，由于高頻時(shí)這些損耗在整個(gè)變 壓器損耗中所占 的比重增大。快恢復二極管由于電流波形具有更快的上升時(shí)間，地線(xiàn)和供電回路上的 Ldildt 尖峰變得愈加復雜棘手 ，所以需求設計者愈加留意線(xiàn)路規劃 ，如具有低電感特性的地線(xiàn)和供 電回路及關(guān)鍵節點(diǎn)的稿合電容等 。固然存在這些不肯定的要素和問(wèn)題 ，但是電源設計者只 要熟習雙極型晶體超結場(chǎng)效應管的設計 ，掌握關(guān)于 MOSFET 管特性的基本信息 ，就可以很快學(xué)會(huì )運用 MOS田T 管中止開(kāi)關(guān)電路設計 。

對電路設計者來(lái)說(shuō) ，決議MOSFET 管特性的制造材料和固態(tài)物理結構并不太重要 ，這里不予討論。 在電路設計中 ，MOS四T管的直流伏安特性 、極間電容 、溫度特性和開(kāi)關(guān)速度等是需求思索 的，本文只對這些方面中止討論 。在很大程度上 ，用 MOS陽(yáng)T管設計電源比用雙極型晶體管更簡(jiǎn)單。

MOSFET管輸入端（柵極）的驅動(dòng)電路要比雙極型晶體管的基極驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單得多。而且MOSFET 管沒(méi)有存儲時(shí)間，就避免了復雜的Baker鉗位電路和比例基極驅動(dòng)電路。另外，雙極型晶體場(chǎng)效應管管盧值在制造過(guò)程中可能相差達4倍所惹起的問(wèn)題在MOSFET管的運用中也己不存在 。在關(guān)斷過(guò)程中 ，由于MOSFET 管電流降落速度很快 ，輸出端的降落電流和上升電壓在較 低的電流下會(huì )發(fā)作堆疊 ，從而減小了堆疊損耗即交流開(kāi)關(guān)損耗 （ 1.3.4 節）。這樣就可以簡(jiǎn)化 以致不需求緩沖器了 .

聯(lián)系方式：鄒先生

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”

長(cháng)按二維碼識別關(guān)注