300V MOS管選型-300V MOS管型號參數、封裝尺寸、價(jià)格等資料

300V MOS管型號-KNX9130A主要參數詳情

型號命名：KNX9130A

工作方式：40A/300V

漏源電壓：300V

門(mén)-源電壓：±20V

連續漏電電流：40A

單脈沖雪崩能量:1250MJ

二極管峰值恢復:5.0V/ns

漏源擊穿電壓:300V

輸入電容:3100pF

輸出電容:250pF

反向傳輸電容:80pF

300V MOS管型號-KNX9130A產(chǎn)品特點(diǎn)

RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

專(zhuān)有的新平面技術(shù)

低柵電荷最小開(kāi)關(guān)損耗

快速恢復體二極管

 MOS管型號-KNX9130A產(chǎn)品應用領(lǐng)域

1、不間斷電源

2、直流-直流變換器

3、電機控制

4、其他領(lǐng)域

300V MOS管型號-KNX9130A產(chǎn)品封裝實(shí)物圖

300V MOS管原廠(chǎng)

深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

KIA半導體也一直執行全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設計開(kāi)始，一直貫徹到客戶(hù)使用的全過(guò)程質(zhì)量跟蹤和監控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶(hù)的產(chǎn)品是安全可靠的。

需要咨詢(xún)更多產(chǎn)品信息、價(jià)格、封裝等資料，請聯(lián)系我們，我們將竭誠為您服務(wù)！

MOS管參數介紹

ards---漏源電阻溫度系數

aID---漏極電流溫度系數

Vn---噪聲電壓

η---漏極效率（射頻功率管）

Zo---驅動(dòng)源內阻

VGu---柵襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VGD---柵漏電壓（直流）

VDS(sat)---漏源飽滿(mǎn)電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓

Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

Tstg---貯成溫度

Tc---管殼溫度

Ta---環(huán)境溫度

Tjm---最大容許結溫

Tj---結溫

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）

POUT---輸出功率

PIN--輸入功率

PDM---漏極最大容許耗散功率

PD---漏極耗散功率

R(th)ja---結環(huán)熱阻

R(th)jc---結殼熱阻

RL---負載電阻（外電路參數）

Rg---柵極外接電阻（外電路參數）

rGS---柵源電阻

rGD---柵漏電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS---漏源電阻

Ls---源極電感

LD---漏極電感

L---負載電感（外電路參數）

Ku---傳輸系數

K---失調電壓溫度系數

gds---漏源電導

ggd---柵漏電導

GPD---共漏極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨導

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）

Iu---襯底電流

IDSS2---對管第二管漏源飽滿(mǎn)電流

IDSS1---對管第一管漏源飽滿(mǎn)電流

IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流

IF---二極管正向電流

IGP---柵極峰值電流

IGM---柵極脈沖電流

IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流

IGR---反向柵電流

IGF---正向柵電流

IG---柵極電流（直流）

IDS(sat)---溝道飽滿(mǎn)電流（漏源飽滿(mǎn)電流）

IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流

IDSM---最大漏源電流

IDS---漏源電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）

ID(on)---通態(tài)漏極電流

dv/dt---電壓上升率（外電路參數）

di/dt---電流上升率（外電路參數）

Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

Ear:重復雪崩擊穿能量

Iar:雪崩電流

Ton:正導游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計).

Qrr :反向恢復充電電量.

Trr :反向恢復時(shí)刻.

VSD :正導游通壓降.

ISM:脈沖最大續流電流(從源極).

IS :接連最大續流電流(從源極).

EAR:重復雪崩擊穿能量.

IAR :雪崩電流.

EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數,闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助