KCY3104S 110A/40V 新產(chǎn)品上線(xiàn) 原裝正品保證 專(zhuān)業(yè)制造MOS管-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-07-17
KCY3104S是KIA半導體新研發(fā)是MOS管產(chǎn)品、是SGT工藝。接下來(lái)簡(jiǎn)單的介紹一下KIA半導體，深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源，也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場(chǎng)效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標，KIA半導體正在持續創(chuàng )新，永不止步！
RDS(on)=1.5mΩ(typ.)@VGS=10V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
低柵電荷
大電流能力
符合RoHS
型號：KCY3104S
工作方式：110A/40V
漏源電壓：40A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流:400A
單脈沖雪崩能量:400mJ
總功耗:125W
漏源擊穿電壓:40V
前跨端導管:50S
柵極電阻：1.0Ω
輸入電容：3950pF
輸出電容：1100pF
反向轉移電容：80pF
1、同步整流
2、直流/直流轉換器
3、其他
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