DTU09N03替代MOS管-MOS管型號規格書(shū)下載 封裝 參數詳情-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-07-08
DTU09N03可用KIA50N03A替代，深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導體研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案，同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場(chǎng)效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標，KIA半導體正在持續創(chuàng )新，永不止步！
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1、先進(jìn)的溝槽處理技術(shù)
2、高密度超低電阻電池的設計
3、完全確定雪崩電壓和電流
4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A
5、Vds=30V
6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
產(chǎn)品型號：KIA50N03A
工作方式：50A/30V
漏源極電壓:30V
柵源電壓:±20V
連續漏電流：50A
脈沖漏電流 ：200A
操作接頭和存儲溫度范圍:-55℃至150℃
結對殼熱阻：1.8℃/W
對周?chē)h(huán)境的電阻:50℃/W
以下為KIA50N03A產(chǎn)品PDF格式的產(chǎn)品詳細資料，查看詳情請點(diǎn)擊下圖。
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