NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管參數、封裝、規格書(shū)詳情-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-07-02
KIA2808A可替代NCE80H16，KIA半導體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵，我們致力于成為場(chǎng)效應管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標，KIA半導體正在持續創(chuàng )新，永不止步！
RDS(on) =4.0毫歐（典型值）@ VGS=10V
100%雪崩測試
可靠、堅固耐用
無(wú)鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
產(chǎn)品型號：KIA2808A
工作方式：150A/80V
漏源電壓：80V
柵源電壓：±25V
漏電流連續：150A
脈沖漏極電流：660A
雪崩能量：1.1***mJ
耗散功率：178W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：80V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：6109PF
輸出電容：995PF
上升時(shí)間：18ns
開(kāi)關(guān)中的應用
逆變電源的電源管理
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VDS=80V,ID=160A
RDS(ON)<4.7mΩ@VGS=10V
超低RDSON高密度電池設計
穩定性好，均勻性好
良好的散熱包裝
高靜電放電性能的特殊工藝技術(shù)
（一）封裝尺寸
（二）封裝引腳圖
查看及下載規格書(shū)，請點(diǎn)擊下圖。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
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