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MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數/規格書(shū)/封裝詳情-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-06-20 

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MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數/規格書(shū)/封裝詳情

KIA半導體KNX2910A可以替代HY3210,KIA半導體深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源,也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新,力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

下文將介紹HY3210和KNX2910A兩個(gè)型號的參數對比、封裝、規格書(shū)等詳情。


KNX2910A 130A/100V產(chǎn)品應用領(lǐng)域

1、開(kāi)關(guān)電源中的高效同步整流

2、高速功率開(kāi)關(guān)


MOS管KNX2910A 130A/100V特征

RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V

超高密度電池設計

超低導通電阻

雪崩測試100%

提供無(wú)鉛和綠色設備(符合RoHS)


MOS管KNX2910A 130A/100V主要參數

型號:KNX2910A

參數:130A/100V

漏源電壓:100V

柵源電壓:±25V

雪崩能量單脈沖:552MJ

漏源擊穿電壓:100V

輸入電容:6800pF

輸出電容:630pF

反向轉移電容:350pF


MOS管KNX2910A 130A/100V封裝圖


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MOS管KNX2910A 130A/100V規格書(shū)

查看及下載規格書(shū),請點(diǎn)擊下圖。


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MOS管 3210產(chǎn)品特點(diǎn)

RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V

雪崩測試100%

可靠、堅固

無(wú)鉛和綠色設備


MOS管 HY3210應用領(lǐng)域

電源切換應用

不間斷電源


MOS管 HY3210封裝引腳圖


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MOS管 HY3210 100V/120A參數


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MOS管 HY3210 100V/120A規格書(shū)

查看及下載規格書(shū),請點(diǎn)擊下圖。


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