KIA6N70H 5.8A/700V規格書(shū)下載-MOS管原廠(chǎng)供貨 KIA原廠(chǎng)現貨-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-05-28
這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這個(gè)先進(jìn)的技術(shù)是KIA半導體專(zhuān)門(mén)定制的。可以減少沖擊，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖，這款產(chǎn)品非常適合于高效率開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數校正，基于半橋拓撲。
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低柵電荷（典型16NC）
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高dv/dt能力
型號：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
脈沖漏電流:20* A
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能量:150MJ
雪崩電流:4.8A
重復雪崩能量:9.5MJ
峰值二極管恢復dv/dt:4.5 V/ns
漏源擊穿電壓:700V
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