MOS管如何分析電路工作原理
信息來(lái)源：本站 日期：2017-04-27
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì )導通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅動(dòng)）。但是，固然PMOS可以很便當地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)錢(qián)貴，交流種類(lèi)少等緣由，在高端驅動(dòng)中，通常還是運用NMOS。電路分析如下：pmos的開(kāi)啟條件是VGS電壓為負壓，并且電壓的絕對值大于最低開(kāi)啟電壓，普通小功率的PMOS管的最小開(kāi)啟電壓為0.7V左右，假定電池充溢電，電壓為4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是導通的，電路是沒(méi)有問(wèn)題的。當5V電壓時(shí)，G極的電壓為5V，S極的電壓為5VV-二極管壓降（0.5左右）=4.5V，PMOS管關(guān)段，當沒(méi)有5V電壓時(shí)，G極電壓下拉為0V，S極的電壓為電池電壓（假定電池充溢電4.2V）-MOS管未導通二極管壓降（0.5V）=3.7，這樣PMOS就導通，二極管壓降就沒(méi)有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導通對負載供電。在這里用一個(gè)肖特基二極管（SS12）也可以處置這個(gè)問(wèn)題，不過(guò)就是有0.3V左右的電壓降。這里運用PMOS管，PMOS管完好導通，內阻比較小，優(yōu)與肖特基，幾乎沒(méi)有壓降。不過(guò)下拉電阻運用的有點(diǎn)大，驅動(dòng)PMOS不需求電流的，只需電壓抵達就可以了，可以運用大電阻，減少工作電流，推薦運用10K-100K左右的電阻。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值普通偏高，央求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(cháng)，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)呈現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)錢(qián)低價(jià)，有些中范圍和小范圍數字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
改動(dòng)柵壓可以改動(dòng)溝道中的電子密度，從而改動(dòng)溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道增強型場(chǎng)效應晶體管。假定N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上恰當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應晶體管。統稱(chēng)為PMOS晶體管。
聯(lián)系方式：鄒先生
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(cháng)按二維碼識別關(guān)注
