MOS管 KNX9130A替代IRFB4137 40A/300V規格書(shū) 內阻低-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-03-22
KIA半導體產(chǎn)品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半導體場(chǎng)效應管有著(zhù)雪崩沖擊低、低內阻等技術(shù)優(yōu)勢。下文將會(huì )有KNX9130A和IRFB4137兩個(gè)產(chǎn)品詳細參數、封裝、規格書(shū)。
KIA半導體也一直執行全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設計開(kāi)始，一直貫徹到客戶(hù)使用的全過(guò)程質(zhì)量跟蹤和監控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶(hù)的產(chǎn)品是安全可靠的。下文將描述KNX9130A產(chǎn)品附件及主要參數詳情。
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
專(zhuān)有的新平面技術(shù)
低柵電荷最小開(kāi)關(guān)損耗
快速恢復體二極管
型號：KNX9130A
工作方式：40A/300V
漏源極電壓：250V
柵極到源極電壓：±20V
連續漏電電流：40A
單脈沖雪崩能量:1250MJ
二極管峰值恢復:5.0V/ns
漏源擊穿電壓:300V
二極管正向電壓:1.5V
輸入電容:3100pF
輸出電容:250pF
反向傳輸電容:80pF
查看詳情，請點(diǎn)擊下圖。
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MOS管 KNX9130A替代IRFB4137的產(chǎn)品特征如下：
1、改進(jìn)的雪崩和動(dòng)態(tài)的dV/dt堅固性
2、增強二極管dV/dt和dI/dt能力
3、無(wú)鉛、符合RoHS標準
型號：IRFB4137
參數：38A/300V
封裝：TO-220
脈沖漏電流：152A
最大功耗:341W
線(xiàn)性遞減因子:2.3W/℃
柵極到源極電壓：±20V
二極管峰值恢復:8.9V/ns
漏源擊穿電壓:300V
柵極電阻:1.3Ω
查看規格書(shū)，請點(diǎn)擊下圖。
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