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無(wú)線(xiàn)充MOS管 KNE4603A2 7A/30V規格書(shū)-原廠(chǎng)供貨 免費送樣-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2019-03-13 

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無(wú)線(xiàn)充MOS管,KNE4603A2,7A/30V

無(wú)線(xiàn)充MOS管

無(wú)線(xiàn)充電技術(shù),源于無(wú)線(xiàn)電能傳輸技術(shù),可分為小功率無(wú)線(xiàn)充電和大功率無(wú)線(xiàn)充電兩種方式。


小功率無(wú)線(xiàn)充電常采用電磁感應式,如對手機充電的Qi方式,但中興的電動(dòng)汽車(chē)無(wú)線(xiàn)充電方式采用感應式。大功率無(wú)線(xiàn)充電常采用諧振式(大部分電動(dòng)汽車(chē)充電采用此方式)由供電設備(充電器)將能量傳送至用電的裝置,該裝置使用接收到的能量對電池充電,并同時(shí)供其本身運作之用。


由于充電器與用電裝置之間以磁場(chǎng)傳送能量,兩者之間不用電線(xiàn)連接,因此充電器及用電的裝置都可以做到無(wú)導電接點(diǎn)外露。

無(wú)線(xiàn)充MOS管,KNE4603A2,7A/30V

KIA半導體無(wú)線(xiàn)充MOS管 KNE4603A2產(chǎn)品概述

該KNE4603A2是高密度溝槽雙N溝道MOSFET,提供優(yōu)良的RDSON和柵極充電為大多數同步降壓轉換器應用KNE4603A2符合環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求。


無(wú)線(xiàn)充MOS管 KNE4603A2產(chǎn)品特點(diǎn)

RDS(on)=14.5mΩ(typ)@VGS=10V

超低柵電荷

綠色設備可用

先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)


無(wú)線(xiàn)充MOS管 KNE4603A2封裝

KIA半導體采用N溝道雙MOS管,封裝圖如下:

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無(wú)線(xiàn)充MOS管 KNE4603A2 7A/30V參數

型號:KNE4603A2

工作方式:7A/30V

漏極電壓:30V

柵極電壓:±20V

脈沖漏電流:35A

單脈沖雪崩能量:20NJ

雪崩電流:20A

總功耗:1.5W

漏源擊穿電壓:30V


無(wú)線(xiàn)充MOS管 KNE4603A2電路特征

無(wú)線(xiàn)充MOS管,KNE4603A2,7A/30V

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無(wú)線(xiàn)充MOS管 KNE4603A2 7A/30V附件規格書(shū)

查看規格書(shū),請點(diǎn)擊下圖。

無(wú)線(xiàn)充MOS管,KNE4603A2,7A/30V



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