功率MOS管,保護電路,MOS管參數

功率MOSFET是較常使用的一類(lèi)功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。功率MOSFET可分為增強型和耗盡型，按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。

做開(kāi)關(guān)電源，常用功率MOSFET。一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON)參數來(lái)定義導通阻抗;對ORing FET應用來(lái)說(shuō)，RDS(ON)也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)，但對于充分的柵極驅動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對靜態(tài)參數。

MOS管的作用

1.mos管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

功率MOS管保護電路

功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應用場(chǎng)合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來(lái)提高器件的可靠性，MOS管作用是什么

功率MOS管保護電路主要有以下幾個(gè)方面：

1）防止柵極 di/dt過(guò)高：由于采用驅動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅動(dòng)功率管會(huì )引起驅動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di/dt而引起誤導通。為避免上述現象的發(fā)生，通常在MOS驅動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。

2）防止柵源極間過(guò)電壓 由于柵極與源極的阻抗很高，漏極與源極間的電壓突變會(huì )通過(guò)極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當高的柵源尖峰電壓，此電壓會(huì )使很薄的柵源氧化層擊穿，同時(shí)柵極很容易積累電荷也會(huì )使柵源氧化層擊穿，所以要在MOS管柵極并聯(lián)穩壓管以限制柵極電壓在穩壓管穩壓值以下，保護MOS管不被擊穿，MOS管柵極并聯(lián)電阻是為了釋放柵極電荷，不讓電荷積累。

3）防護漏源極之間過(guò)電壓 雖然漏源擊穿電壓VDS一般都很大，但如果漏源極不加保護電路，同樣有可能因為器件開(kāi)關(guān)瞬間電流的突變而產(chǎn)生漏極尖峰電壓，進(jìn)而損壞MOS管，功率管開(kāi)關(guān)速度越快，產(chǎn)生的過(guò)電壓也就越高。為了防止器件損壞，通常采用齊納二極管鉗位和RC緩沖電路等保護措施。

當電流過(guò)大或者發(fā)生短路時(shí)，功率MOS管漏極與源極之間的電流會(huì )迅速增加并超過(guò)額定值，必須在過(guò)流極限值所規定的時(shí)間內關(guān)斷功率MOS管,否則器件將被燒壞，因此在主回路增加電流采樣保護電路，當電流到達一定值，通過(guò)保護電路關(guān)閉驅動(dòng)電路來(lái) 保護MOS管。圖1是MOS管的保護電路，由此可以清楚的看出保護電路的功能。

功率MOS管的正向導通等效電路

（1）：等效電路

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 正向導通時(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線(xiàn)可從制造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的反向導通等效電路

（1）：等效電路（門(mén)極不加控制）

（2）：說(shuō)明

即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。

功率MOSFET的反向導通等效電路

（1）：等效電路（門(mén)極加控制）

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 在門(mén)級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線(xiàn)可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱(chēng)為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開(kāi)關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。

功率MOSFET的正向截止等效電路

（1）：等效電路

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 正向截止時(shí)可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的穩態(tài)特性總結

（1）：功率MOSFET 穩態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線(xiàn)

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 正向飽和導通時(shí)的穩態(tài)工作點(diǎn)

當門(mén)極不加控制時(shí)，其反向導通的穩態(tài)工作點(diǎn)同二極管。

（3）：穩態(tài)特性總結

-- 門(mén)極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態(tài)；當VgsVth時(shí)，器件處于導通狀態(tài)；器件的通態(tài)電阻與Vgs有關(guān)，Vgs大，通態(tài)電阻??；多數器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V；

-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來(lái)標稱(chēng)的；只要實(shí)際的漏極電流有效值沒(méi)有超過(guò)其額定值，保證散熱沒(méi)問(wèn)題，則器件就是安全的；

-- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實(shí)際并聯(lián)時(shí)，還要考慮驅動(dòng)的對稱(chēng)性和動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題；

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很??；

-- 器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來(lái)愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常?。壳白钚〉臑?-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件。

功率MOS管選型

P溝道MOS管型號

N溝道MOS管部分型號

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