mos源極 漏極 區分

mos源極與漏極

源極（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。

柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細絲網(wǎng)或螺旋線(xiàn)形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強度從而改變陰極放射電流或捕獲二次放射電子的作用。

漏極在兩個(gè)高摻雜的P區中間，夾著(zhù)一層低摻雜的N區（N區一般做得很?。?，形成了兩個(gè)PN結。在N區的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區上也做上歐姆電極，并把這兩P區連起來(lái)，就構成了一個(gè)場(chǎng)效應管。

mos源極 漏極 區分

1.判斷柵極G

MOS驅動(dòng)器主要起波形整形和加強驅動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點(diǎn)評切換階段會(huì )造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅動(dòng)能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時(shí)間.

將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

2.判斷源極S、漏極D

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。

3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

在源-漏之間有一個(gè)PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

測試步驟如下

假如有阻值沒(méi)被測MOS管有漏電現象。

1、把連接柵極和源極的電阻移開(kāi)，萬(wàn)用表紅黑筆不變，假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大，則MOS管漏電，不變則完好

2、然后一根導線(xiàn)把MOS管的柵極和源極連接起來(lái)，假如指針立刻返回無(wú)限大，則MOS完好。

3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無(wú)限大。

4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)，因為電場(chǎng)產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬(wàn)用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。

MOS管的工作原理

由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時(shí)，就有導電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

NMOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負載問(wèn)題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過(guò)，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)（電位）上拉電阻R，R的取值一般選用2～100KΩ。

N溝道增強型MOS管的工作原理

（1）vGS對iD及溝道的控制作用

① vGS=0 的情況

從圖1(a)可以看出，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒(méi)有導電溝道，所以這時(shí)漏極電流iD≈0。

② vGS>0 的情況

若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。電場(chǎng)方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)能排斥空穴而吸引電子。

排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動(dòng)的受主離子(負離子)，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面。

（2）導電溝道的形成：

當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類(lèi)型與P襯底相反，故又稱(chēng)為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導體表面的電場(chǎng)就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。

開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，用VT表示。

上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導電溝道，管子處于截止狀態(tài)。只有當vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導電溝道的MOS管稱(chēng)為增強型MOS管。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生。

vDS對iD的影響：

如圖(a)所示，當vGS>VT且為一確定值時(shí)，漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結型場(chǎng)效應管相似。

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓最大，這里溝道最厚，而漏極一端電壓最小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道最薄。但當vDS較?。╲DS

隨著(zhù)vDS的增大，靠近漏極的溝道越來(lái)越薄，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時(shí)，溝道在漏極一端出現預夾斷，如圖2(b)所示。再繼續增大vDS，夾斷點(diǎn)將向源極方向移動(dòng)，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進(jìn)入飽和區，iD幾乎僅由vGS決定。

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