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場(chǎng)效應管irf3205供應商 技術(shù)參數信息-場(chǎng)效應管irf3205中文資料-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-12-18 

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場(chǎng)效應管irf3205

IR的HEXFET功率場(chǎng)效應管irf3205采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,具有極低的導通阻抗。


場(chǎng)效應管irf3205這種特性,加上快速的轉換速率,和以堅固耐用著(zhù)稱(chēng)的HEXFET設計,使得場(chǎng)效應管irf3205成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。


TO-220封裝的IRF3205普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF3205得到業(yè)內的普遍認可。D2Pak封裝的IRF3205適用于貼片安裝,比起現有的任何其他貼片封裝,可說(shuō)是功率最高,導通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安裝版,適合較低端的應用。


特性

先進(jìn)的工藝技術(shù)

貼片安裝

低端通孔安裝

超低導通阻抗

動(dòng)態(tài)dv/dt率

175℃工作溫度

快速轉換速率

無(wú)鉛環(huán)保


場(chǎng)效應管irf3205參數表

場(chǎng)效應管irf3205


場(chǎng)效應管irf3205中文資料

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場(chǎng)效應管irf3205



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