MOS管靜電擊穿

關(guān)于穿通擊穿，有以下一些特征

（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過(guò)程中，電流有逐漸增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，發(fā)生電流較大。另一方面，耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應，使源襯底結正偏呈現電流逐漸增大的特征。

（2）穿通擊穿的軟擊穿點(diǎn)發(fā)生在源漏的耗盡層相接時(shí)，此刻源端的載流子注入到耗盡層中， 被耗盡層中的電場(chǎng)加快到達漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點(diǎn)，這個(gè)電流的急劇增大和雪崩擊穿時(shí)電流急劇增大不同，這時(shí)的電流相當于源襯底PN結正向導通時(shí)的電流，而雪崩擊穿時(shí)的電流主要為PN結反向擊穿時(shí)的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。

（3）穿通擊穿一般不會(huì )呈現破壞性擊穿。因為穿通擊穿場(chǎng)強沒(méi)有到達雪崩擊穿的場(chǎng)強，不會(huì )發(fā)生許多電子空穴對。

（4）穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內，溝道外表不容易發(fā)生穿通，這主要是因為溝道注入使外表濃度比濃度大構成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。

（5）一般的，鳥(niǎo)嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中心。

（6）多晶柵長(cháng)度對穿通擊穿是有影響的，跟著(zhù)柵長(cháng)度添加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴格來(lái)說(shuō)也有影響，可是沒(méi)有那么明顯。

MOS管靜電擊穿的影響因素

MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。

靜電放電形成的是短時(shí)大電流，放電脈沖的時(shí)間常數遠小于器件散熱的時(shí)間常數。因此，當靜電放電電流通過(guò)面積很小的pn結或肖特基結時(shí)，將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，形成局部過(guò)熱，有可能使局部結溫達到甚至超過(guò)材料的本征溫度(如硅的熔點(diǎn)1415℃)，使結區局部或多處熔化導致pn結短路，器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內部區域的功率密度，功率密度越小，說(shuō)明器件越不易受到損傷。

反偏pn結比正偏pn結更容易發(fā)生熱致失效，在反偏條件下使結損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因為反偏時(shí)，大部分功率消耗在結區中心，而正偏時(shí)，則多消耗在結區外的體電阻上。對于雙極器件，通常發(fā)射結的面積比其它結的面積都小，而且結面也比其它結更靠近表面，所以常常觀(guān)察到的是發(fā)射結的退化。此外，擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(如JFET的柵結)，比類(lèi)似尺寸的常規pn結對靜電放電更加敏感。

所有的東西是相對的，不是絕對的，MOS管只是相對其它的器件要敏感些，ESD有一個(gè)很大的特點(diǎn)就是隨機性，并不是沒(méi)有碰到MOS管都能夠把它擊穿。另外，就算是產(chǎn)生ESD，也不一定會(huì )把管子擊穿。靜電的基本物理特征為：(1)有吸引或排斥的力量;(2)有電場(chǎng)存在，與大地有電位差;(3)會(huì )產(chǎn)生放電電流。這三種情形即ESD一般會(huì )對電子元件造成以下三種情形的影響：(1)元件吸附灰塵，改變線(xiàn)路間的阻抗，影響元件的功能和壽命;(2)因電場(chǎng)或電流破壞元件絕緣層和導體，使元件不能工作(完全破壞);(3)因瞬間的電場(chǎng)軟擊穿或電流產(chǎn)生過(guò)熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺(jué)而排除，影響較少。如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現，在這種情形下，常會(huì )因經(jīng)過(guò)多次加工，甚至已在使用時(shí)，才被發(fā)現破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預測。靜電對電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴重火災和爆炸事故的損失。

電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會(huì )遭受靜電破壞?可以這么說(shuō)：電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過(guò)程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯(lián)、包裝運輸直至產(chǎn)品應用，都在靜電的威脅之下。在整個(gè)電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中，每一個(gè)階段中的每一個(gè)小步驟，靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞，而實(shí)際上最主要而又容易疏忽的一點(diǎn)卻是在元件的傳送與運輸的過(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中，運輸因移動(dòng)容易暴露在外界電場(chǎng)(如經(jīng)過(guò)高壓設備附近、工人移動(dòng)頻繁、車(chē)輛迅速移動(dòng)等)產(chǎn)生靜電而受到破壞，所以傳送與運輸過(guò)程需要特別注意，以減少損失，避免無(wú)所謂的糾紛。防護的話(huà)加齊納穩壓管保護。

現在的mos管沒(méi)有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。與干燥的北方不同，南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件內部已經(jīng)增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。

MOS管擊穿的原因及解決方案

第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又十分小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電，而少數電荷就可在極間電容上構成相當高的電壓(U=Q/C)，將管子損壞。盡管MOS輸入端有抗靜電的維護措施，但仍需當心對待，在存儲和運送中最好用金屬容器或許導電資料包裝，不要放在易發(fā)生靜電高壓的化工資料或化纖織物中。

拼裝、調試時(shí)，東西、外表、工作臺等均應杰出接地。要避免操作人員的靜電攪擾構成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或東西在觸摸集成塊前最好先接一下地。對器材引線(xiàn)矯直曲折或人工焊接時(shí)，運用的設備有必要杰出接地。

第二、MOS電路輸入端的維護二極管，其導通時(shí)電流容限一般為1mA 在可能呈現過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超越10mA)時(shí)，應串接輸入維護電阻。而129#在初期設計時(shí)沒(méi)有參加維護電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因，而經(jīng)過(guò)替換一個(gè)內部有維護電阻的MOS管應可避免此種失效的發(fā)生。還有因為維護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過(guò)高的靜電電壓將使維護電路失去效果。所以焊接時(shí)電烙鐵有必要可靠接地，以防漏電擊穿器材輸入端，一般運用時(shí)，可斷電后使用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，并先焊其接地管腳。

MOS是電壓驅動(dòng)元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部攪擾使MOS導通，外部攪擾信號對G-S結電容充電，這個(gè)細小的電荷能夠貯存很長(cháng)時(shí)刻。在實(shí)驗中G懸空很風(fēng)險，許多就因為這樣爆管，G接個(gè)下拉電阻對地，旁路攪擾信號就不會(huì )直通了，一般能夠10~20K。

這個(gè)電阻稱(chēng)為柵極電阻。效果1：為場(chǎng)效應管供給偏置電壓;效果2：起到瀉放電阻的效果(維護柵極G~源極S)。榜首個(gè)效果好了解，這兒解釋一下第二個(gè)效果的原理：維護柵極G~源極S：場(chǎng)效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少數的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩頭發(fā)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少數的靜電瀉放掉，他兩頭的高壓就有可能使場(chǎng)效應管發(fā)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，然后起到了維護場(chǎng)效應管的效果。

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